О роли блочной структуры щелочно-галоидных кристаллов в процессе формирования объемного заряда: отдельный оттиск

О роли блочной структуры щелочно-галоидных кристаллов в процессе формирования объемного заряда: отдельный оттиск

Dades bibliogràfiques
Autor principal:	Малофиенко Г. М.
Altres autors:	Анненков Ю. М. Юрий Михайлович
Idioma:	rus
Publicat:	Томск, Изд-во Томского ун-та, 1969
Col·lecció:	Известия высших учебных заведений. Физика № 8
Matèries:	Щелочно-галоидные кристаллы > Электрические свойства коллекция ТПУ оттиски диэлектрики объемный заряд приэлектродные явления микрокристаллиты травление образцы раскалывание ионные кристаллы мозаика блоки
Format:	Llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=357607

Ítems similars

Диэлектрические потери в щелочно-галоидных кристаллах до и после воздействия протонным излучением: научный отчет
per: Анненков Ю. М. Юрий Михайлович
Publicat: (Томск, 1964)

Исследование закономерностей поверхностного разряда на щелочно-галоидных кристаллах: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
per: Прудникова Л. А.
Publicat: (Томск, 1966)

О свечении тонких слоев щелочно-галоидных монокристаллов в сильных электрических полях: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
per: Гусарова Р. В.
Publicat: (Томск, 1970)

Распределение энергии импульсных электронных пучков в щелочно-галоидных кристаллах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07.
per: Куликов В. Д. Виктор Дмитриевич
Publicat: (Томск, [Б. и.], 1983)

Исследование электрических свойств щелочно-галоидных кристаллов и их радиационного изменения: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
per: Анненков Ю. М.
Publicat: (Томск, 1968)

Процессы низкотемпературной диэлектрической релаксации в щелочно-галоидных кристаллах и воздействие на них рентгеновского излучения: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико -математических наук
per: Щербаков В. А.
Publicat: (Томск, 1971)

К вопросу о диэлектрических потерях в щелочногалоидных кристаллах на высокой частоте: [оттиск статьи]
per: Воробьев А. А. Александр Акимович
Publicat: (Москва, Изд-во АН СССР, 1954)

Закономерности формирования объемного заряда в щелочногалоидных кристаллах и влияние на него радиационной обработки: Диссертация на соискание ученой степени физико-математических наук; Спец. 01.04.10
per: Малофиенко Г. М. Григорий Михайлович
Publicat: (Томск, 1973)

Об электронной природе образования ориентированных путей пробоя в щелочногалоидных кристаллах: отдельный оттиск
per: Воробьев А. А. Александр Акимович
Publicat: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1970)

Электрическая прочность и химическая устойчивость соединений: [оттиск статьи]
per: Воробьев А. А. Александр Акимович
Publicat: (Томск, 1952)

Ориентационные эффекты рассеяния быстрых электронов в щелочногалоидных монокристаллах: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
per: Бабудаев А. Я.
Publicat: (Томск, 1973)

О соответствии устойчивости химических соединений и электрической прочности: [оттиск статьи]
per: Воробьев А. А. Александр Акимович
Publicat: (Москва, Изд-во АН СССР, 1955)

Релаксация объемного заряда в диэлектриках, накопленного в результате облучения их электронами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.01
per: Сигаев Г. И. Геннадий Иванович
Publicat: (Томск, [Б. и.], 1978)

Электрическая прочность и химическая устойчивость соединений: [оттиск статьи]
per: Воробьев А. А. Александр Акимович
Publicat: (Томск, 1954)

К вопросу о связи между диэлектрическими потерями в кристаллах с энергией решетки и дефектностью: отдельный оттиск
per: Воробьев А. А. Александр Акимович
Publicat: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1960)

Ионная проводимость щёлочно-галоидных кристаллов; Электротехника, электромеханика и электротехнологии
per: Асовский П. В.
Publicat: (2002)

Диэлектрические потери в легированных щёлочно-галоидных кристаллах; Электротехника, электромеханика и электротехнологии
per: Пономарёв В. В.
Publicat: (2002)

Коэффициенты пуассона щелочно-галоидных кристаллов; Инновационные технологии и экономика в машиностроении
per: Беломестных В. Н. Владимир Николаевич
Publicat: (2013)

Экситоны и зоны щелочно-галоидных кристаллов: [монография]
per: Соболев В. В. Валентин Викторович
Publicat: (Кишинев, Штиинца, 1984)

Поляризация электролюминесценции неактивированных и активированных европием щелочно-галоидных кристаллов; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 1
Publicat: (2004)

Примесные дефекты в щелочно-галоидных кристаллах
per: Кожогулов О. Ч.
Publicat: (Фрунзе, Илим, 1984)

Механические и тепловые свойства щелочно-галоидных кристаллов; Гл. 4, 5
per: Воробьев А. А. Александр Акимович
Publicat: (Томск, 1966)

Физика электропластичности щелочно-галоидных кристаллов
per: Зуев Л. Б. Лев Борисович
Publicat: (Новосибирск, Наука, 1990)

Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов
per: Алукер Э. Д. Эдуард Давыдович
Publicat: (Рига, Зинатне, 1979)

Исследование скорости распространения разряда в кристаллах щелочно-галоидных солей; Известия вузов. Энергетика; № 7
per: Барченко Т. Н.
Publicat: (1959)

О механизме локализации электронных возбуждений в щелочно-галоидных кристаллах; Известия вузов. Физика; т. 29, № 1
per: Бочканов П. В.
Publicat: (1986)

Электролюминесценция щелочно-галоидных кристаллов при температуре выше комнатной; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 2
Publicat: (2004)

Радиационная генерация катионных вакансий в щелочно-галоидных кристаллах; Известия вузов. Физика; № 3
Publicat: (1975)

Упруго-пластический инвариант деформации щелочно-галоидных кристаллов; Перспективы развития фундаментальных наук
per: Надежкин М. В. Михаил Владимирович
Publicat: (2014)

Динамика накопления объемного заряда в диэлектриках при облучении их быстрыми электронами: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
per: Гусельников В. Н.
Publicat: (Томск, 1972)

Быстропротекающие радиационно-стимулированные процессы в щелочно-галоидных кристаллах
Publicat: (Рига, Зинатне, 1987)

Размерные и временные эффекты при хрупком раскалывании ионных кристаллов импульсными пучками электронов; Тезисы докладов 6 Всесоюзной конференции по радиационной физике и химии ионных кристаллов; Ч. 2
Publicat: (1986)

Эффект радиационной «памяти» в щелочно-галоидных кристаллах; Известия вузов. Физика; Т. 59, № 9
per: Коровкин М. В. Михаил Владимирович
Publicat: (2016)

Черновик доклада на Львовском 3-ем совещании по физике щелочно-галоидных кристаллов "Взаимодействие щелочно-галоидных кристаллов с ионизирующими излучениями"
per: Воробьев А. А. Александр Акимович
Publicat: (Томск, 1963)

Взаимодействие щелочно-галоидных кристаллов с ионизирующим излучением: доклад на Львовском 3-м совещании по физике щелочно-галоидных кристаллов
per: Воробьев А. А. Александр Акимович
Publicat: (Томск, Изд-во ТПИ, 1964 )

Электрические свойства кристаллов твердых растворов щелочно-галоидных соединений системы КС1-КВr; Известия вузов. Физика; № 11
per: Анненков Ю. М. Юрий Михайлович
Publicat: (1967)

Влияние облучения на некоторые тепловые свойства щелочно-галоидных кристаллов и их твердых растворов; Известия вузов. Физика; № 1
per: Анохина И. Н.
Publicat: (1965)

Влияние плотности импульсного электронного пучка на накопление радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах; Физика твердого тела; Т. 29, № 3
Publicat: (1987)

Ориентационная зависимость ангармонизма в щёлочно-галоидных кристаллах. 2. Галогениды натрия; Инновационные технологии и экономика в машиностроении
per: Теслева Е. П. Елена Павловна
Publicat: (2009)

Кн. 2. Гл. 4; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Publicat: (1967)