MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 357607
005 20231102011017.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\retro\14875 
090 |a 357607 
100 |a 20200806d1969 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a af z 001zy 
200 1 |a О роли блочной структуры щелочно-галоидных кристаллов в процессе формирования объемного заряда  |e отдельный оттиск  |f Г. М. Малофиенко, Ю. М. Анненков 
210 |a Томск  |c Изд-во Томского ун-та  |d 1969 
215 |a С. 147-149  |c ил. 
225 1 |a Известия высших учебных заведений. Физика  |v № 8 
320 |a Библиогр. в конце ст. 
606 1 |a Щелочно-галоидные кристаллы  |x Электрические свойства  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\80375  |9 88100 
610 1 |a коллекция ТПУ 
610 1 |a оттиски 
610 1 |a диэлектрики 
610 1 |a объемный заряд 
610 1 |a приэлектродные явления 
610 1 |a микрокристаллиты 
610 1 |a травление 
610 1 |a образцы 
610 1 |a раскалывание 
610 1 |a ионные кристаллы 
610 1 |a мозаика 
610 1 |a блоки 
675 |a 548.312  |v 4 
700 1 |a Малофиенко  |b Г. М. 
701 1 |a Анненков  |b Ю. М.  |c физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1940-  |g Юрий Михайлович  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25662 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20200806 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20200925  |g RCR 
942 |c BK