Исследование электронных центров захвата в аддитивно окрашенных щелочно-галоидных кристаллах, легированных двухвалентными примесями: отдельный оттиск

समान संसाधन

• Примесные дефекты в щелочно-галоидных кристаллах
  द्वारा: Кожогулов О. Ч.
  प्रकाशित: (Фрунзе, Илим, 1984)
• Влияние примесных центров захвата электронов на накопление элементарных радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах, выращенных из водного раствора: Диссертация на соискание ученой степени кандидатафизико-математических наук
  द्वारा: Кравченко Н. С.
  प्रकाशित: (Томск, 1970)
• Эволюция радиационных френкелевских пар дефектов в щелочно-галоидных кристаллах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 02.00.04
  द्वारा: Бочканов П. В. Петр Васильевич
  प्रकाशित: (Томск, 1985)
• Исследование поведения позитронов в дефектных щелочно-галоидных кристаллах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07.
  द्वारा: Нурмагамбетов С. Б. Сергей Байдушевич
  प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 1981)
• Влияние примесных центров захвата на радиационное создание, коагуляцию и разрушение электронных центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
  द्वारा: Минаев С. М.
  प्रकाशित: (Томск, 1968)