• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avanzado
  • Исследование электронных центр...
  • Citar
  • Text this
  • Enviar este rexistro por email
  • Imprimir
  • Exportar rexistro
    • Exportar a RefWorks
    • Exportar a EndNoteWeb
    • Exportar a EndNote
  • Permanent link
Исследование электронных центров захвата в аддитивно окрашенных щелочно-галоидных кристаллах, легированных двухвалентными примесями: отдельный оттиск

Исследование электронных центров захвата в аддитивно окрашенных щелочно-галоидных кристаллах, легированных двухвалентными примесями: отдельный оттиск

Detalles Bibliográficos
Autor Principal: Анненков Ю. М. Юрий Михайлович
Outros autores: Титова Л. В., Кишеня С. М.
Idioma:ruso
Publicado: Томск, Изд-во Томского ун-та, 1969
Series:Известия высших учебных заведений. Физика № 10
Subjects:
Щелочно-галоидные кристаллы > Дефекты
диэлектрические потери
температурные зависимости
проводимость
монокристаллы
спектры поглощения
оптическое поглощение
окрашенные кристаллы
термическая обработка
Z-центры
коллекция ТПУ
оттиски
Formato: Libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=357589
  • Existencias
  • Descripción
  • Títulos similares
  • Staff View
Descripción
Descrición Física:С. 26-29 ил.

Títulos similares

  • Примесные дефекты в щелочно-галоидных кристаллах
    por: Кожогулов О. Ч.
    Publicado: (Фрунзе, Илим, 1984)
  • Влияние примесных центров захвата электронов на накопление элементарных радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах, выращенных из водного раствора: Диссертация на соискание ученой степени кандидатафизико-математических наук
    por: Кравченко Н. С.
    Publicado: (Томск, 1970)
  • Эволюция радиационных френкелевских пар дефектов в щелочно-галоидных кристаллах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 02.00.04
    por: Бочканов П. В. Петр Васильевич
    Publicado: (Томск, 1985)
  • Исследование поведения позитронов в дефектных щелочно-галоидных кристаллах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07.
    por: Нурмагамбетов С. Б. Сергей Байдушевич
    Publicado: (Томск, [Б. и.], 1981)
  • Влияние примесных центров захвата на радиационное создание, коагуляцию и разрушение электронных центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
    por: Минаев С. М.
    Publicado: (Томск, 1968)