• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Advanced
  • Исследование электронных центр...
  • Cite this
  • Text this
  • Email this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Исследование электронных центров захвата в аддитивно окрашенных щелочно-галоидных кристаллах, легированных двухвалентными примесями отдельный оттиск

Исследование электронных центров захвата в аддитивно окрашенных щелочно-галоидных кристаллах, легированных двухвалентными примесями, отдельный оттиск

Bibliographic Details
Main Author: Анненков Ю. М. Юрий Михайлович
Other Authors: Титова Л. В., Кишеня С. М.
Published: Томск, Изд-во Томского ун-та, 1969
Series:Известия высших учебных заведений. Физика № 10
Subjects:
диэлектрические потери
температурные зависимости
проводимость
монокристаллы
спектры поглощения
оптическое поглощение
окрашенные кристаллы
термическая обработка
Z-центры
коллекция ТПУ
оттиски
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=357589
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View
Description
Physical Description:С. 26-29 ил.

Similar Items

  • Примесные дефекты в щелочно-галоидных кристаллах
    by: Кожогулов О. Ч.
    Published: (Фрунзе, Илим, 1984)
  • Влияние примесных центров захвата электронов на накопление элементарных радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах, выращенных из водного раствора Диссертация на соискание ученой степени кандидатафизико-математических наук
    by: Кравченко Н. С.
    Published: (Томск, 1970)
  • Эволюция радиационных френкелевских пар дефектов в щелочно-галоидных кристаллах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 02.00.04
    by: Бочканов П. В. Петр Васильевич
    Published: (Томск, 1985)
  • Исследование поведения позитронов в дефектных щелочно-галоидных кристаллах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.07.
    by: Нурмагамбетов С. Б. Сергей Байдушевич
    Published: (Томск, [Б. и.], 1981)
  • Электронные и дырочные свойства щелочно-галоидных кристаллов: черновик
    by: Воробьев А. А. Александр Акимович
    Published: (Томск, 1966)