• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avanzata
  • Исследование электронных центр...
  • Citazione
  • Invia SMS
  • Invia email
  • Stampa
  • Esporta il record
    • Esporta a RefWorks
    • Esporta a EndNoteWeb
    • Esporta a EndNote
  • PLink permanente
Исследование электронных центров захвата в аддитивно окрашенных щелочно-галоидных кристаллах, легированных двухвалентными примесями: отдельный оттиск

Исследование электронных центров захвата в аддитивно окрашенных щелочно-галоидных кристаллах, легированных двухвалентными примесями: отдельный оттиск

Dettagli Bibliografici
Autore principale: Анненков Ю. М. Юрий Михайлович
Altri autori: Титова Л. В., Кишеня С. М.
Lingua:russo
Pubblicazione: Томск, Изд-во Томского ун-та, 1969
Serie:Известия высших учебных заведений. Физика № 10
Soggetti:
Щелочно-галоидные кристаллы > Дефекты
диэлектрические потери
температурные зависимости
проводимость
монокристаллы
спектры поглощения
оптическое поглощение
окрашенные кристаллы
термическая обработка
Z-центры
коллекция ТПУ
оттиски
Natura: Libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=357589
  • Posseduto
  • Descrizione
  • Documenti analoghi
  • MARC21
Descrizione
Descrizione fisica:С. 26-29 ил.

Documenti analoghi

  • Примесные дефекты в щелочно-галоидных кристаллах
    di: Кожогулов О. Ч.
    Pubblicazione: (Фрунзе, Илим, 1984)
  • Влияние примесных центров захвата электронов на накопление элементарных радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах, выращенных из водного раствора: Диссертация на соискание ученой степени кандидатафизико-математических наук
    di: Кравченко Н. С.
    Pubblicazione: (Томск, 1970)
  • Эволюция радиационных френкелевских пар дефектов в щелочно-галоидных кристаллах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 02.00.04
    di: Бочканов П. В. Петр Васильевич
    Pubblicazione: (Томск, 1985)
  • Исследование поведения позитронов в дефектных щелочно-галоидных кристаллах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07.
    di: Нурмагамбетов С. Б. Сергей Байдушевич
    Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 1981)
  • Влияние примесных центров захвата на радиационное создание, коагуляцию и разрушение электронных центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
    di: Минаев С. М.
    Pubblicazione: (Томск, 1968)