Эпитаксиальные структуры на основе твердого раствора AlxGa1-xSb (физические основы технологии, свойства, применение): диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Podobne knjige/članki

• Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
  od: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
  Izdano: (Кишинев, Штиинца, 1987)
• Эпитаксильные структуры на основе твердого раствора Al Ga Sb (физические основы технологии,свойства и применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
  od: Гермогенов В. П. Валерий Петрович
  Izdano: (Томск, Изд-во ТГУ, 1997)
• The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures; Semiconductors; Vol. 37, iss. 4
  od: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
  Izdano: (2003)
• Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 37, вып. 4
  od: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
  Izdano: (2003)
• Метод огибающих функций для гетероструктур. Модели сшивания и применения для [AlAs/AlxGa1-xAs(110)]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
  od: Караваев Г. Ф.
  Izdano: (2003)