• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avanzata
  • Исследования по полупроводника...
  • Citazione
  • Invia SMS
  • Invia email
  • Stampa
  • Esporta il record
    • Esporta a RefWorks
    • Esporta a EndNoteWeb
    • Esporta a EndNote
  • PLink permanente
Exportación Completada — 
Исследования по полупроводникам. Новые полупроводниковые материалы: [сборник]

Исследования по полупроводникам. Новые полупроводниковые материалы: [сборник]

Dettagli Bibliografici
Ente Autore: Академия наук Молдавской ССР (АН МССР) Институт физики и математики
Lingua:russo
Pubblicazione: Кишинев, Картя молдовеняскэ, 1964
Soggetti:
Полупроводники > Структура
алмазоподобные полупроводники
дефекты
тройные соединения
твердые растворы
теллур
микротвердость
монокристаллы
висмут
сплавы
проводники
плавление
носители тока
подвижность
библиотека А. А. Воробьева
Natura: MixedMaterials Libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=351420
  • Posseduto
  • Descrizione
  • Documenti analoghi
  • MARC21

Documenti analoghi

  • Исследование бинарных полупроводников
    Pubblicazione: (Кишинев, Штиинца, 1983)
  • Глубокие уровни в полупроводниках: сборник статей
    Pubblicazione: (Ташкент, Изд-во ТашГУ, 1981)
  • Исследование и применение широкозонных полупроводников: сборник научных трудов
    Pubblicazione: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1981)
  • Техника безопасности при работах с полупроводниками
    di: Юхим И. Я. Ипполит Яковлевич
    Pubblicazione: (Москва, Машиностроение, 1968)
  • Влияние слоистых периодических неоднородностей на пьезосопротивление γ-облученных монокристаллов n-Si и n-Ge; Наукоемкие технологии; № 6
    Pubblicazione: (2004)