Кинетика накопления электронных центров в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Кинетика накопления электронных центров в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي:	Вайсбурд Д. И. Давид Израйлевич
مؤلف مشترك:	Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР) Объединенный ученый совет отделения физико-математических наук
مؤلفون آخرون:	Мелик-Гайказян И. Я. Ирина Яковлевна (научный руководитель)
الملخص:	Защита сост. в 1966 г.
اللغة:	الروسية
منشور في:	Ташкент, [Б. и.], 1966
الموضوعات:	Щелочно-галоидные кристаллы > Действие ионизирующих излучений Щелочно-галоидные кристаллы > Дефекты физика электронные центры протоны радиационные дефекты кинетика накопление облучение пространственное распределение авторефераты диссертаций труды учёных ТПУ библиотека А. А. Воробьева дарственная надпись дары дары автора дары библиотеке
التنسيق:	كتاب
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=350625

مواد مشابهة

Накопление катионных френнелевских дефектов в щелочногалоидных кристаллах под действием электронного облучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
حسب: Биплер В. К. Владимир Константинович
منشور في: (Томск, [Б. и.], 1977)

Строение щелочногалоидных фосфоров, закономерность распределения в них активатора и механизм процессов возбуждения и высвечивания: доклад на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
حسب: Шамовский Л. М.
منشور في: (Москва, [Б. и.], 1963)

Примесные дефекты в щелочно-галоидных кристаллах
حسب: Кожогулов О. Ч.
منشور في: (Фрунзе, Илим, 1984)

Исследование запасания энергии излучения щелочногалоидными кристаллами и процессов выделения энергии при термическом отжиге радиационных дефектов: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.040
حسب: Борисовский В. В.
منشور في: (Томск, [Б. и.], 1969)

Исследование запасания энергии излучения щелочногалоидными кристаллами и процессов выделения энергии при термическом отжиге радиационных дефектов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.040
حسب: Борисовский В. В.
منشور في: (Томск, [Б. и.], 1971)

Радиационная проводимость и электронно-дырочная рекомбинация в щелочногалоидных кристаллах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
حسب: Пичугин В. Ф. Владимир Федорович
منشور في: (Томск, 1973)

Радиационная устойчивость щелочногалоидных кристаллов: [оттиск статьи]
حسب: Воробьев А. А. Александр Акимович
منشور في: (Москва, Издательство Академии наук СССР, 1965)

Пространственная неоднородность в распределении создаваемых облучением электронных центров в реальных щелочно-галоидных кристаллах: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
حسب: Лельчук Л. Ю.
منشور في: (Томск, 1974)

Быстропротекающие радиационно-стимулированные процессы в щелочно-галоидных кристаллах
منشور في: (Рига, Зинатне, 1987)

Влияние структуры на рассеяние быстрых электронов монокристаллами щелочногалоидных соединений: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-атематических наук
حسب: Ивакин В. П.
منشور في: (Томск, 1970)

Исследование электрических свойств щелочно-галоидных кристаллов и их радиационного изменения: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
حسب: Анненков Ю. М.
منشور في: (Томск, 1968)

Эволюция радиационных френкелевских пар дефектов в щелочно-галоидных кристаллах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 02.00.04
حسب: Бочканов П. В. Петр Васильевич
منشور في: (Томск, 1985)

Дефектообразование, ударная ионизация и электрическая прочность микронных слоев щелочно-галоидных кристаллов: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: 01.04.07
حسب: Еханин С. Г. Сергей Георгиевич
منشور في: (Томск, 2002)

Влияние примесей на радиационное изменение внутренней энергии щелочно-галоидных кристаллов: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
حسب: Арьянов А. П.
منشور في: (Томск, [Б. и.], 1968)

Черновик доклада на Львовском 3-ем совещании по физике щелочно-галоидных кристаллов "Взаимодействие щелочно-галоидных кристаллов с ионизирующими излучениями"
حسب: Воробьев А. А. Александр Акимович
منشور في: (Томск, 1963)

Исследование поведения позитронов в дефектных щелочно-галоидных кристаллах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07.
حسب: Нурмагамбетов С. Б. Сергей Байдушевич
منشور في: (Томск, [Б. и.], 1981)

Взаимодействие щелочно-галоидных кристаллов с ионизирующим излучением: доклад на Львовском 3-м совещании по физике щелочно-галоидных кристаллов
حسب: Воробьев А. А. Александр Акимович
منشور في: (Томск, Изд-во ТПИ, 1964 )

Влияние примесных центров захвата электронов на накопление элементарных радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах, выращенных из водного раствора: Диссертация на соискание ученой степени кандидатафизико-математических наук
حسب: Кравченко Н. С.
منشور في: (Томск, 1970)

Влияние примесных центров захвата на радиационное создание, коагуляцию и разрушение электронных центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
حسب: Минаев С. М.
منشور في: (Томск, 1968)

Дефектообразование, ударная ионизация и электрическая прочность микронных слоев щелочно-галоидных кристаллов: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук; спец. 01.04.07
حسب: Еханин С. Г. Сергей Георгиевич
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2002)

Закономерности формирования объемного заряда в щелочногалоидных кристаллах и влияние на него радиационной обработки: Диссертация на соискание ученой степени физико-математических наук; Спец. 01.04.10
حسب: Малофиенко Г. М. Григорий Михайлович
منشور في: (Томск, 1973)

Радиационные изменения и устойчивость щелочно-галоидных кристаллов (авторский экземпляр)
حسب: Воробьев А. А. Александр Акимович
منشور في: (Томск, 1961)

Исследование электронных центров захвата в аддитивно окрашенных щелочно-галоидных кристаллах, легированных двухвалентными примесями: отдельный оттиск
حسب: Анненков Ю. М. Юрий Михайлович
منشور في: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1969)

Дефектообразование, ударная ионизация и электрическая прочность микронных слоев щелочно-галоидных кристаллов: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук:
حسب: Еханин С. Г. Сергей Георгиевич
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2002)

Энергия, запасенная в щелочно - галоидных кристаллах при облучении: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико - математических наук
حسب: Кузьмина А.В.
منشور في: (Томск, [Б. и.], 1964)

Электронные и дырочные центры щелочно-галоидных кристаллов: черновик; гл. 1-2
حسب: Воробьев А. А. Александр Акимович
منشور في: (Томск, 1966)

Электронные и дырочные центры в чистых щелочно-галоидных кристаллах: первый вариант, 1963 год; гл. 1-2
حسب: Воробьев А. А. Александр Акимович
منشور في: (Томск, 1966)

Электронные и дырочные свойства щелочно-галоидных кристаллов: черновик; Гл. 4.
حسب: Воробьев А. А. Александр Акимович
منشور في: (Томск, 1966)

Электронные и дырочные центры в чистых щелочно-галоидных кристаллах; гл. 6
حسب: Воробьев А. А. Александр Акимович
منشور في: (Томск, 1966)

Электронные и дырочные центры в чистых щелочно-галоидных кристаллах; Гл. 1, 2.
حسب: Воробьев А. А. Александр Акимович
منشور في: (Томск, 1966)

Поглощение рентгеновых лучей в твердых растворах щелочно-галоидных солей: [оттиск статьи]
حسب: Щелоков А. Д.
منشور في: (Томск, Изд-во Томского государственного университета, 1958)

Электронные и дырочные центры в чистых щелочно-галоидных кристаллах; Гл. 1, 2.
حسب: Воробьев А. А. Александр Акимович
منشور في: (Томск, 1965)

Физические свойства твердых растворов щелочногалоидных соединений
حسب: Воробьев А. А. Александр Акимович
منشور في: (Томск, Изд-во ТГУ, 1972)

Электронные и дырочные центры в чистых щелочно-галоидных кристаллах; Гл. 3.
حسب: Воробьев А. А. Александр Акимович
منشور في: (Томск, 1965)

Электронные и дырочные центры в чистых щелочно-галоидных кристаллах: черновик; Гл. 3.
حسب: Воробьев А. А. Александр Акимович
منشور في: (Томск, 1966)

Электронные и дырочные центры в чистых щелочно-галоидных кристаллах: авторский экземпляр; Гл. 3-5.
حسب: Воробьев А. А. Александр Акимович
منشور في: (Томск, Изд-во ТПИ, 1966)

Электронные и дырочные центры в чистых щелочно-галоидных кристаллах; Гл. 4,5.
حسب: Воробьев А. А. Александр Акимович
منشور في: (Томск, 1965)

Разработать физические основы радиационно-термических методов получения и модификации свойств диэлектрических и полупроводниковых материалов в мощных пучках ускоренных электронов: Промежуточный отчет о НИР; Тема : ТОМ - ЭДиП - I ( г/б 2.21.005 )
منشور في: (Томск, 1988)

Электронные центры окраски в ионных кристаллах
حسب: Парфианович И. А. Иосиф Антонович
منشور في: (Иркутск, Восточно-Сибирское кн. изд-во, 1977)

Материалы VII совещания по люминесценции (кристаллофосфоры): г. Москва, 26 июня-3 июля 1958 г.
منشور في: (Тарту, [Б. и.], 1959)