Кинетика накопления электронных центров в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Схожие документы

• Накопление катионных френнелевских дефектов в щелочногалоидных кристаллах под действием электронного облучения диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
  по: Биплер В. К. Владимир Константинович
  Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 1977)
• Примесные дефекты в щелочно-галоидных кристаллах
  по: Кожогулов О. Ч.
  Опубликовано: (Фрунзе, Илим, 1984)
• Строение щелочногалоидных фосфоров, закономерность распределения в них активатора и механизм процессов возбуждения и высвечивания доклад на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
  по: Шамовский Л. М.
  Опубликовано: (Москва, [Б. и.], 1963)
• Радиационная проводимость и электронно-дырочная рекомбинация в щелочногалоидных кристаллах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
  по: Пичугин В. Ф. Владимир Федорович
  Опубликовано: (Томск, 1973)
• Исследование запасания энергии излучения щелочногалоидными кристаллами и процессов выделения энергии при термическом отжиге радиационных дефектов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.040
  по: Борисовский В. В.
  Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 1971)