• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avançada
  • Proceedings of the Internation...
  • Citar
  • Enviar por SMS
  • Enviar por e-mail
  • Imprimir
  • Exportar registro
    • Exportar para RefWorks
    • Exportar para EndNoteWeb
    • Exportar para EndNote
  • Link permanente
Proceedings of the International Conference on Semiconductor Physics: Prague, 29 August-2 September 1960

Proceedings of the International Conference on Semiconductor Physics: Prague, 29 August-2 September 1960

Detalhes bibliográficos
Autores corporativos: Czechoslovak Academy of Sciences (570), Proceedings of the International Conference on Semiconductor Physics
Idioma:inglês
alemão
francês
Publicado em: Prague, Publishing House of the Czechoslovak Academy of Sciences, 1961
Assuntos:
Полупроводники > Физика
твердые тела
свойства
зонная структура
рассеяние
теория переноса
горячие электроны
гальваномагнитные эффекты
рекомбинация
радиация
оптические свойства
экситоны
фотопроводимость
поверхностные явления
резонансы
термоэлектричество
ионные кристаллы
материалы
английский язык
немецкий язык
французский язык
библиотека А. А. Воробьева
дары библиотеке
Formato: Livro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=350617
  • Itens
  • Descrição
  • Registros relacionados
  • Registro fonte
Descrição
Descrição Física:1133 p. il.

Registros relacionados

  • Физика и химия соединений А, В: пер. с англ.
    Publicado em: (Москва, Мир, 1970)
  • The Physics of Semiconductors. An Introduction Including Devices and Nanophysics
    por: Grundmann M. Marius
    Publicado em: (Berlin, Springer-Verlag, 2006)
  • Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников
    por: Войцеховский А. В. Александр Васильевич
    Publicado em: (Томск, Радио и связь, 1990)
  • Semiconductors
    Publicado em: (Leningrad, Nauka, 1979)
  • Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии и родственные явления
    por: Стурман Б. И. Борис Ицхакович
    Publicado em: (Москва, Наука, 1992)