Влияние давления на параметры полупроводниковых диодов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 049

Влияние давления на параметры полупроводниковых диодов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 049

Détails bibliographiques
Auteur principal:	Агафонников В. Ф.
Collectivité auteur:	Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Autres auteurs:	Гаман В. И. (научный руководитель)
Langue:	russe
Publié:	Томск, Изд-во Томского ун-та, 1968
Sujets:	Полупроводники > Физика вольтамперные характеристики анизотропное давление датчики обратный ток германиевые диоды кремниевые диоды температурная зависимость рекомбинация пороговое напряжение авторефераты диссертаций
Format:	Livre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=349261

Documents similaires

Зависимость скорости поверхностной рекомбинации базы кремниевых диодов от температуры и уровня инъекции; Известия вузов. Физика; № 2
par: Гаман В. И.
Publié: (1967)

Расширение интервала рабочих температур полупроводниковых приборов: сборник научных статей
Publié: (Киев, Вища школа, 1975)

Влияние скорости поверхностной рекомбинации на переходные процессы в кремниевых диодах; Известия вузов. Физика; № 2
par: Гаман В. И.
Publié: (1967)

Набор мощных кремниемых диодов с барьером Шотки; Радиомир; № 1
par: Киселёв В.
Publié: (2002)

Основы электроники и радиотехники: учебное пособие для техникумов
par: Дробащенко И. Т. Иван Тихонович
Publié: (Москва, Изд-во литературы по горному делу, 1961)

Влияние режима вплавления на физические параметры базы плоскостного кремневого диода; Известия вузов. Физика; № 4
par: Кулиш У. М.
Publié: (1966)

Германиевые триоды в переключающих схемах с малым потреблением тока: Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
par: Орлов В. И.
Publié: (Томск, 1967)

Прогнозирование надежности полупроводниковых лавинных диодов
Publié: (Киев, Наукова думка, 1986)

Временная зависимость емкости кремниевого туннельного МОП-диода при воздействии водорода; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
par: Гаман В. И.
Publié: (2003)

Теория и расчет полупроводниковых приборов: Твердотельная электроника лабораторный практикум
par: Кольцов Г. И.
Publié: (Москва, МИСИС, 2010)

О возможности создания диода со сверхрезким запирающих свойств на основе карбида кремния; Письма в Журнал технической физики; Т. 28, вып. 13
Publié: (2002)

Импульсный пробой селеновых выпрямителей: Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
par: Жохов В. З.
Publié: (Махачкала, 1966)

Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ
par: Тагер А. С. Александр Семенович
Publié: (Москва, Советское радио, 1968)

Вып. 5; Полупроводниковые приборы и их применение
Publié: (1960)

Полупроводниковые управляемые вентили: сборник статей; пер. с англ.
Publié: (Москва, Госэнергоиздат, 1962)

Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения: пер. с англ.
par: Грундман М. Мариус
Publié: (Москва, Физматлит, 2012)

Измерение и идентификация параметров SPICE-моделей полупроводниковых диодов; Измерительная техника; № 5
par: Петров В. Н.
Publié: (2002)

Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и El2: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
par: Верхолетов М. Г. Максим Георгиевич
Publié: (Томск, 2023)

Т. 123; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]
Publié: (Изд-во Томского ун-та, 1963)

Диэлектрики и полупроводники
Publié: (Москва, Изд-во иностранной литературы, 1951)

Т. 2; Зарубежные транзисторы и их аналоги
Publié: (1999)

Исследование генерации импульсного электронного пучка в диоде с высоким импедансом: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.20
par: Кайканов М. И. Марат Исламбекович
Publié: (Томск, 2013)

Применение туннельных диодов для коррекции импульсных полупроводниковых усилителей: Реферативный обзор; Тема : г/б.
Publié: (Томск, 1963)

Исследование генерации импульсного электронного пучка в диоде с высоким импедансом: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.20
par: Кайканов М. И. Марат Исламбекович
Publié: (Томск, 2013)

Техника оптической связи. Фотоприемники: пер. с англ.
Publié: (Москва, Мир, 1988)

Дополнительные возможности использования порометаллов для охлаждения линеек лазерных диодов; Письма в Журнал технической физики; Т. 28, вып. 14
par: Аполлонов В. В.
Publié: (2002)

Технология серийного производства транзисторов и полупроводниковых диодов: пер. с чеш.
par: Коутный Й.
Publié: (Москва, Энергия, 1968)

Контроль параметров аналоговых микросхем, силовых диодов и транзисторов
par: Дракин А. Ю.
Publié: (Санкт-Петербург, Лань, 2021)

Исследование генерации импульсного электронного пучка в диоде с высоким импедансом: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.20
par: Кайканов М. И. Марат Исламбекович
Publié: (Томск, 2013)

Разработка и исследование методов и средств контроля составляющих полного сопротивления полупроводниковых диодов: Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
par: Благовещенский В. С.
Publié: (Томск, 1973)

Improvement of a powerful ion Br - Diode parameters by changing the distribution of the magnetic flux in the anode – cathode gap; Vacuum; Vol. 176
Publié: (2020)

Расчет режимов полупроводниковых диодов в умножителях частоты: учебное пособие для вузов
par: Яковенко В. А. Валерий Андреевич
Publié: (Новосибирск, Изд-во НЭТИ, 1980)

Применение туннельных диодов в импульсной технике
par: Воскресенский В. В. Владимир Владимирович
Publié: (Москва, Связь, 1974)

Надежность светоизлучающих диодов; Современное состояние и проблемы естественных наук
par: Симонова А. В.
Publié: (2015)

Т. 4 : Силовые полупроводниковые приборы; Силовая преобразовательная техника
Publié: (1986)

Определение параметров гетероструктур, используемых в оптоэлектронике лабораторный практикум
par: Кузнецов Г. Д.
Publié: (Москва, МИСИС, 2002)

Электронные измерения и измерение параметров полупроводниковых приборов: учебник
par: Криштафович А. К. Алексей Константинович
Publié: (Москва, Высшая школа, 1969)

Физика полупроводниковых приборов
par: Лебедев А. И.
Publié: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2008)

Эффективная генерация с.в.ч.-колебаний на гармониках проводимости диодов Ганна; Приборы и техника эксперимента; № 6
par: Алексеев Ю. И.
Publié: (2004)

Эквивалентные схемы и параметры полупроводниковых приборов
par: Бочаров Л. Н. Лев Николаевич
Publié: (Москва, Энергия, 1973)