Влияние давления на параметры полупроводниковых диодов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 049

Влияние давления на параметры полупроводниковых диодов, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 049

Бібліографічні деталі
Автор:	Агафонников В. Ф.
Співавтор:	Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Інші автори:	Гаман В. И. (727)
Мова:	Російська
Опубліковано:	Томск, Изд-во Томского ун-та, 1968
Предмети:	вольтамперные характеристики анизотропное давление датчики обратный ток германиевые диоды кремниевые диоды температурная зависимость рекомбинация пороговое напряжение авторефераты диссертаций
Формат:	Книга
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=349261

Схожі ресурси

Зависимость скорости поверхностной рекомбинации базы кремниевых диодов от температуры и уровня инъекции
за авторством: Гаман В. И.
Опубліковано: (1967)

Расширение интервала рабочих температур полупроводниковых приборов сборник научных статей
Опубліковано: (Киев, Вища школа, 1975)

Влияние скорости поверхностной рекомбинации на переходные процессы в кремниевых диодах
за авторством: Гаман В. И.
Опубліковано: (1967)

Набор мощных кремниемых диодов с барьером Шотки
за авторством: Киселёв В.
Опубліковано: (2002)

Основы электроники и радиотехники учебное пособие для техникумов
за авторством: Дробащенко И. Т. Иван Тихонович
Опубліковано: (Москва, Изд-во литературы по горному делу, 1961)

Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения пер. с англ.
за авторством: Грундман М. Мариус
Опубліковано: (Москва, Физматлит, 2012)

Влияние режима вплавления на физические параметры базы плоскостного кремневого диода
за авторством: Кулиш У. М.
Опубліковано: (1966)

Германиевые триоды в переключающих схемах с малым потреблением тока Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
за авторством: Орлов В. И.
Опубліковано: (Томск, 1967)

Временная зависимость емкости кремниевого туннельного МОП-диода при воздействии водорода
за авторством: Гаман В. И.
Опубліковано: (2003)

Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и El2 автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
за авторством: Верхолетов М. Г. Максим Георгиевич
Опубліковано: (Томск, 2023)

Исследование генерации импульсного электронного пучка в диоде с высоким импедансом диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.20
за авторством: Кайканов М. И. Марат Исламбекович
Опубліковано: (Томск, 2013)

Прогнозирование надежности полупроводниковых лавинных диодов
Опубліковано: (Киев, Наукова думка, 1986)

Исследование генерации импульсного электронного пучка в диоде с высоким импедансом автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.20
за авторством: Кайканов М. И. Марат Исламбекович
Опубліковано: (Томск, 2013)

О возможности создания диода со сверхрезким запирающих свойств на основе карбида кремния
Опубліковано: (2002)

Теория и расчет полупроводниковых приборов: Твердотельная электроника лабораторный практикум
за авторством: Кольцов Г. И.
Опубліковано: (Москва, МИСИС, 2010)

Диэлектрики и полупроводники
Опубліковано: (Москва, Изд-во иностранной литературы, 1951)

Исследование генерации импульсного электронного пучка в диоде с высоким импедансом автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.20
за авторством: Кайканов М. И. Марат Исламбекович
Опубліковано: (Томск, 2013)

Полупроводниковые умножительные диоды
за авторством: Пильдон В. И. Владимир Иосифович
Опубліковано: (Москва, Радио и связь, 1981)

Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ
за авторством: Тагер А. С. Александр Семенович
Опубліковано: (Москва, Советское радио, 1968)

Вып. 5
Опубліковано: (1960)

Основы физики полупроводниковых приборов учебное пособие
за авторством: Федотов Я. А. Яков Андреевич
Опубліковано: (Москва, Советское радио, 1963)

Импульсный пробой селеновых выпрямителей Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
за авторством: Жохов В. З.
Опубліковано: (Махачкала, 1966)

Полупроводниковые управляемые вентили сборник статей пер. с англ.
Опубліковано: (Москва, Госэнергоиздат, 1962)

Измерение и идентификация параметров SPICE-моделей полупроводниковых диодов
за авторством: Петров В. Н.
Опубліковано: (2002)

Пленки оксидов редкоземельных элементов в МДМ- и МДП-структурах
Опубліковано: (Саратов, Изд-во Саратовского ун-та, 1983)

Основы физики полупроводниковых приборов учебное пособие
за авторством: Федотов Я. А. Яков Андреевич
Опубліковано: (Москва, Советское радио, 1970)

Дополнительные возможности использования порометаллов для охлаждения линеек лазерных диодов
за авторством: Аполлонов В. В.
Опубліковано: (2002)

Т. 2
Опубліковано: (1999)

Надежность светоизлучающих диодов
за авторством: Симонова А. В.
Опубліковано: (2015)

Т. 123
Опубліковано: (Изд-во Томского ун-та, 1963)

Техника оптической связи. Фотоприемники пер. с англ.
Опубліковано: (Москва, Мир, 1988)

Применение туннельных диодов для коррекции импульсных полупроводниковых усилителей Реферативный обзор Тема : г/б.
Опубліковано: (Томск, 1963)

Фотодиоды и фототриоды
за авторством: Туркулец В. И. Владимир Илларионович
Опубліковано: (Москва, Госэнергоиздат, 1962)

Технология серийного производства транзисторов и полупроводниковых диодов пер. с чеш.
за авторством: Коутный Й.
Опубліковано: (Москва, Энергия, 1968)

Физика твердого тела учеб. пособие
за авторством: Сарина М. П.
Опубліковано: (Новосибирск, НГТУ, 2017)

Транзисторы и полупроводниковые диоды [справочник]
Опубліковано: (Москва, Связьиздат, 1963)

Improvement of a powerful ion Br - Diode parameters by changing the distribution of the magnetic flux in the anode – cathode gap
Опубліковано: (2020)

Контроль параметров аналоговых микросхем, силовых диодов и транзисторов
за авторством: Дракин А. Ю.
Опубліковано: (Санкт-Петербург, Лань, 2021)

Разработка и исследование методов и средств контроля составляющих полного сопротивления полупроводниковых диодов Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
за авторством: Благовещенский В. С.
Опубліковано: (Томск, 1973)

Диодные генераторы и усилители СВЧ
за авторством: Давыдова Н. С. Наталья Сергеевна
Опубліковано: (Москва, Радио и связь, 1986)