• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Pokročilé
  • Влияние давления на параметры...
  • Vytvořit citaci
  • Zaslat SMS
  • Poslat e-mailem
  • Vytisknout
  • Exportovat záznam
    • Exportovat do RefWorks
    • Exportovat do EndNoteWeb
    • Exportovat do EndNote
  • Trvalý odkaz
Exportación Completada — 
Влияние давления на параметры полупроводниковых диодов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 049

Влияние давления на параметры полупроводниковых диодов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 049

Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Агафонников В. Ф.
Korporativní autor: Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Další autoři: Гаман В. И. (научный руководитель)
Jazyk:ruština
Vydáno: Томск, Изд-во Томского ун-та, 1968
Témata:
Полупроводники > Физика
вольтамперные характеристики
анизотропное давление
датчики
обратный ток
германиевые диоды
кремниевые диоды
температурная зависимость
рекомбинация
пороговое напряжение
авторефераты диссертаций
Médium: MixedMaterials Kniha
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=349261
  • Jednotky
  • Popis
  • Podobné jednotky
  • UNIMARC/MARC

Podobné jednotky

  • Зависимость скорости поверхностной рекомбинации базы кремниевых диодов от температуры и уровня инъекции; Известия вузов. Физика; № 2
    Autor: Гаман В. И.
    Vydáno: (1967)
  • Cправочник по зарубежным диодам; Ч. 2
    Vydáno: (Москва, Солон-Р, 2000)
  • Расширение интервала рабочих температур полупроводниковых приборов: сборник научных статей
    Vydáno: (Киев, Вища школа, 1975)
  • Влияние скорости поверхностной рекомбинации на переходные процессы в кремниевых диодах; Известия вузов. Физика; № 2
    Autor: Гаман В. И.
    Vydáno: (1967)
  • Набор мощных кремниемых диодов с барьером Шотки; Радиомир; № 1
    Autor: Киселёв В.
    Vydáno: (2002)