|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
349261 |
| 005 |
20231101040107.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\retro\1345
|
| 090 |
|
|
|a 349261
|
| 100 |
|
|
|a 20180424d1968 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a dm 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Влияние давления на параметры полупроводниковых диодов
|e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
|e Спец. 049
|f В. Ф. Агафонников
|g Томский государственный университет (ТГУ), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ) ; науч. рук. В. И. Гаман
|
| 210 |
|
|
|a Томск
|c Изд-во Томского ун-та
|d 1968
|
| 215 |
|
|
|a 13 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 12-13 (19 назв.)
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводники
|x Физика
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50607
|
| 610 |
1 |
|
|a вольтамперные характеристики
|
| 610 |
1 |
|
|a анизотропное давление
|
| 610 |
1 |
|
|a датчики
|
| 610 |
1 |
|
|a обратный ток
|
| 610 |
1 |
|
|a германиевые диоды
|
| 610 |
1 |
|
|a кремниевые диоды
|
| 610 |
1 |
|
|a температурная зависимость
|
| 610 |
1 |
|
|a рекомбинация
|
| 610 |
1 |
|
|a пороговое напряжение
|
| 610 |
1 |
|
|a авторефераты диссертаций
|
| 675 |
|
|
|a 537.311.322(04)
|v 4
|
| 686 |
|
|
|a 049
|2 oksvnk
|
| 700 |
|
1 |
|a Агафонников
|b В. Ф.
|
| 702 |
|
1 |
|a Гаман
|b В. И.
|4 727
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Томский государственный университет (ТГУ)
|b Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\861
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20180424
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20180425
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
