• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avançada
  • Влияние давления на параметры...
  • Citar
  • Enviar aquest missatge de text
  • Enviar per correu electrònic aquest
  • Imprimir
  • Exportar registre
    • Exportar a RefWorks
    • Exportar a EndNoteWeb
    • Exportar a EndNote
  • Enllaç permanent
Влияние давления на параметры полупроводниковых диодов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 049

Влияние давления на параметры полупроводниковых диодов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 049

Dades bibliogràfiques
Autor principal: Агафонников В. Ф.
Autor corporatiu: Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Altres autors: Гаман В. И. (научный руководитель)
Idioma:rus
Publicat: Томск, Изд-во Томского ун-та, 1968
Matèries:
Полупроводники > Физика
вольтамперные характеристики
анизотропное давление
датчики
обратный ток
германиевые диоды
кремниевые диоды
температурная зависимость
рекомбинация
пороговое напряжение
авторефераты диссертаций
Format: Llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=349261
  • Fons
  • Descripció
  • Ítems similars
  • Visualització del personal
Descripció
Descripció física:13 с. ил.

Ítems similars

  • Зависимость скорости поверхностной рекомбинации базы кремниевых диодов от температуры и уровня инъекции; Известия вузов. Физика; № 2
    per: Гаман В. И.
    Publicat: (1967)
  • Расширение интервала рабочих температур полупроводниковых приборов: сборник научных статей
    Publicat: (Киев, Вища школа, 1975)
  • Влияние скорости поверхностной рекомбинации на переходные процессы в кремниевых диодах; Известия вузов. Физика; № 2
    per: Гаман В. И.
    Publicat: (1967)
  • Набор мощных кремниемых диодов с барьером Шотки; Радиомир; № 1
    per: Киселёв В.
    Publicat: (2002)
  • Основы электроники и радиотехники: учебное пособие для техникумов
    per: Дробащенко И. Т. Иван Тихонович
    Publicat: (Москва, Изд-во литературы по горному делу, 1961)