|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
349158 |
| 005 |
20231102010157.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\retro\1180
|
| 090 |
|
|
|a 349158
|
| 100 |
|
|
|a 20180416d1974 km y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Основы транзисторной электроники
|f Т. М. Агаханян
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Энергия
|d 1974
|
| 215 |
|
|
|a 256 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 251-254
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводниковые приборы
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50669
|9 69320
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводники
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые кристаллы
|
| 610 |
1 |
|
|a электрофизические свойства
|
| 610 |
1 |
|
|a электронные процессы
|
| 610 |
1 |
|
|a электронно-дырчатый переход
|
| 610 |
1 |
|
|a биполярные транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a эквивалентные схемы
|
| 610 |
1 |
|
|a параметры
|
| 610 |
1 |
|
|a полевые транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a токи генерации
|
| 610 |
1 |
|
|a рекомбинация
|
| 675 |
|
|
|a 621.382
|v 4
|
| 700 |
|
1 |
|a Агаханян
|b Т. М.
|g Татевос Мамиконович
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20180416
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20180416
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
