MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 348575
005 20231102010124.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\retro\287 
090 |a 348575 
100 |a 20180228d1975 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Полупроводниковые материалы на основе соединений А⁴ В⁶  |e [монография]  |f Н. Х. Абрикосов, Л. Е. Шелимова  |g Академия наук СССР (АН СССР), Институт металлургии им. А. А. Байкова (ИМЕТ) 
210 |a Москва  |c Наука  |d 1975 
215 |a 195 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 184-193 
606 1 |a Полупроводниковые соединения  |x Технология  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50737  |9 69387 
610 1 |a фазовые равновесия 
610 1 |a двойные системы 
610 1 |a диаграммы 
610 1 |a кристаллические структуры 
610 1 |a фазовые переходы 
610 1 |a точечные дефекты 
610 1 |a кристаллические решетки 
610 1 |a свойства 
610 1 |a методы получения 
610 1 |a халькогениды 
610 1 |a кремний 
610 1 |a германий 
610 1 |a олово 
610 1 |a свинец 
610 1 |a монографии 
675 |a 621.315.592.002  |v 4 
700 1 |a Абрикосов  |b Н. Х.  |g Николай Хрисанфович 
701 1 |a Шелимова  |b Л. Е.  |g Людмила Евгеньевна 
712 0 2 |a Академия наук СССР (АН СССР)  |b Институт металлургии им. А. А. Байкова (ИМЕТ)  |c (Москва)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\312 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20180228 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20190131  |g RCR 
942 |c BK