MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 348404
005 20231102010114.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\retro\63 
090 |a 348404 
100 |a 20180215d1979 km y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a AZ 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Взаимодействие лазерного излучения с полупроводниками типа А III B VI  |f Г. М. Б. Абдуллаев, Э. Ю. Салаев, В. М. Салманов  |g Академия наук Азербайджанской ССР (АН АзССР), Институт физики (ИФ) 
210 |a Баку  |c Элм  |d 1979 
215 |a 137 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 128-135 
606 1 |a Полупроводники  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50553  |9 69206 
610 1 |a кристаллы 
610 1 |a зонная структура 
610 1 |a оптические свойства 
610 1 |a поглощение 
610 1 |a генерация 
610 1 |a гармоники 
610 1 |a параметрические преобразования 
610 1 |a фотопроводимость 
610 1 |a двухфотонное возбуждение 
610 1 |a резонансное излучение 
610 1 |a рекомбинационное излучение 
610 1 |a сплошной спектр 
610 1 |a тонкие пленки 
610 1 |a регистрация 
610 1 |a получение 
610 1 |a обработка 
675 |a 537.311.322  |v 4 
700 1 |a Абдуллаев  |b Г. М. Б.  |g Гасан Мамед Багир-оглы 
701 1 |a Салаев  |b Э. Ю. 
701 1 |a Салманов  |b В. М. 
712 0 2 |a Академия наук Азербайджанской ССР (АН АзССР)  |b Институт физики (ИФ)  |c (Баку)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\11561 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20180215 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20190131  |g RCR 
942 |c BK