|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
347954 |
| 005 |
20231102010044.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\379910
|
| 090 |
|
|
|a 347954
|
| 100 |
|
|
|a 20220901d2022 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a dm 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Физико-химические свойства и электронная структура поверхности трехмерных топологических изоляторов на основе халькогенидов и халькогалогенидов висмута и сурьмы
|e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
|e спец. 1.3.11
|f В. А. Голяшов
|g Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников ; науч. рук. О. Е. Терещенко
|
| 210 |
|
|
|a Новосибирск
|c [Б. и.]
|d 2022
|
| 215 |
|
|
|a 22 с.
|c ил.
|
| 300 |
|
|
|a Защита сост. 13.09.2022 г.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 20-22 (21 назв.)
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводники
|x Электронная теория
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50639
|9 69291
|
| 610 |
1 |
|
|a физика
|
| 610 |
1 |
|
|a топологические изоляторы
|
| 610 |
1 |
|
|a спин-орбитальное взаимодействие
|
| 610 |
1 |
|
|a халькогениды
|
| 610 |
1 |
|
|a халькогениды висмута
|
| 610 |
1 |
|
|a халькогениды сурьмы
|
| 610 |
1 |
|
|a электронная структура
|
| 610 |
1 |
|
|a кристаллы
|
| 610 |
1 |
|
|a проводимость
|
| 610 |
1 |
|
|a расщепление
|
| 610 |
1 |
|
|a рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
|
| 610 |
1 |
|
|a авторефераты диссертаций
|
| 675 |
|
|
|a 537.311.322:530.145(04)
|v 4
|
| 686 |
|
|
|a 01.04.10
|2 oksvnk
|
| 700 |
|
1 |
|a Голяшов
|b В. А.
|g Владимир Андреевич
|
| 702 |
|
1 |
|a Терещенко
|b О. Е.
|g Олег Евгеньевич
|4 727
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Российская академия наук
|b Сибирское отделение
|b Институт физики полупроводников
|c (Новосибирск)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\197
|9 23267
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20220901
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20221012
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
