Физико-химические свойства и электронная структура поверхности трехмерных топологических изоляторов на основе халькогенидов и халькогалогенидов висмута и сурьмы: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11

Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Голяшов В. А. Владимир Андреевич
Autor Corporativo:	Российская академия наук Сибирское отделение Институт физики полупроводников
Otros Autores:	Терещенко О. Е. Олег Евгеньевич (научный руководитель)
Sumario:	Защита сост. 13.09.2022 г.
Lenguaje:	ruso
Publicado:	Новосибирск, [Б. и.], 2022
Materias:	Полупроводники > Электронная теория физика топологические изоляторы спин-орбитальное взаимодействие халькогениды халькогениды висмута халькогениды сурьмы электронная структура кристаллы проводимость расщепление рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия авторефераты диссертаций
Formato:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=347954

Descripción
Descripción Física:	22 с. ил.
Sumario:	Защита сост. 13.09.2022 г.

Ejemplares similares