MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 347145
005 20231102005951.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\379030 
090 |a 347145 
100 |a 20220301d1979 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a TJ 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Сегрегационные явления при кристаллизации полупроводников  |f Ш. Мавлонов  |g Академия наук Таджикской ССР, Физико-технический институт 
210 |a Душанбе  |c Дониш  |d 1979 
215 |a 415 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 384-409 
606 1 |a Полупроводники  |x Кристаллическая структура  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50614  |9 69266 
610 1 |a кристаллизация 
610 1 |a сегретационные явления 
610 1 |a полупроводниковые соединения 
610 1 |a легирование 
610 1 |a электрические свойства 
610 1 |a растворимость 
610 1 |a диффузия 
675 |a 621.315.592:54  |v 4 
700 1 |a Мавлонов  |b Ш.  |g Шараф 
712 0 2 |a Академия наук Таджикской ССР  |b Физико-технический институт  |c (Душанбе)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\17799  |9 26794 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20220301 
942 |c BK