Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10

Bibliografiset tiedot
Päätekijä:	Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Yhteisötekijä:	Российская академия наук Сибирское отделение Институт физики полупроводников
Muut tekijät:	Журавлев К. С. Константин Сергеевич (научный руководитель)
Yhteenveto:	Защита сост. 06.07.2021 г.
Kieli:	venäjä
Julkaistu:	Новосибирск, [Б. и.], 2021
Aiheet:	Пленки эпитаксиальные > Получение физика полупроводниковые пленки подложки сапфировые подложки гетероструктуры молекулярно-лучевая эпитаксия нитридизация авторефераты диссертаций
Aineistotyyppi:	Kirja
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=346608

Samankaltaisia teoksia

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
Tekijä: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Julkaistu: (Нальчик, 2013)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Tekijä: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Julkaistu: (Томск, [Б. и.], 2018)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Tekijä: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Julkaistu: (Томск, [Б. и.], 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Tekijä: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Julkaistu: (Томск, 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Tekijä: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Julkaistu: (Томск, 2018)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
Tekijä: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Julkaistu: (Новосибирск, 2025)

Эпитаксиальные пленки
Tekijä: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Julkaistu: (Москва, Наука, 1971)

Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.8
Tekijä: Пономарев С. А. Сергей Артемьевич
Julkaistu: (Новосибирск, 2025)

Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
Tekijä: Сычева А. В.
Julkaistu: (2014)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Julkaistu: (2015)

Destruction of LED heterostructures under high-current electron beam irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 511 : Perspective Materials of Constructional and Medical Purpose
Tekijä: Zixuan Li
Julkaistu: (2019)

Разрушение светодиодных гетероструктур при облучении сильноточным электронным пучком; Перспективные материалы конструкционного и медицинского назначения
Tekijä: Ли Цзысюань
Julkaistu: (2018)

Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI
Tekijä: Калинкин И. П. Игорь Петрович
Julkaistu: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978)

Искусственная эпитаксия - перспективная технология элементной базы микроэлектроники
Tekijä: Гиваргизов Е. И. Евгений Инвиевич
Julkaistu: (Москва, Наука, 1988)

Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ.
Julkaistu: (Москва, Мир, 1989)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
Tekijä: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Julkaistu: (Новосибирск, Наука, 1978)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
Tekijä: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Julkaistu: (Москва, Энергия, 1974)

Экспериментальные свидетельства магнитно-двухфазного состояния в тонких эпитаксиальных пленках [Re0.6Ba0.4MnO3] (Re=La, Pr, Nd, Gd); Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 3
Julkaistu: (2004)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
Tekijä: Александрова О. А.
Julkaistu: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Самоформирование ситемы высокоупорядоченных наноостровков германия при эпитаксии на профилированные кремниевые (111) подложки в условиях электропереноса; Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 75, вып. 1-2
Tekijä: Закурдаев И. В.
Julkaistu: (2002)

Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе
Tekijä: Папков В. С. Владимир Сергеевич
Julkaistu: (Москва, Энергия, 1979)

Эпитаксиальные пленки на основе гадолиний-галлиевого граната как перспективный магнитооптический и оптически-активный материал; Наукоемкие технологии; № 11
Tekijä: Рандошкин В. В.
Julkaistu: (2004)

Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике": диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Tekijä: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Julkaistu: (Новосибирск, 2011)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
Tekijä: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Julkaistu: (Томск, [Б. и.], 2005)

Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике": автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Tekijä: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Julkaistu: (Томск, 2011)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
Tekijä: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Julkaistu: (Томск, [Б. и.], 2005)

Численный анализ возможности возгорания пленки жидкого топлива на нагретой до высоких температур подложке; Пожаровзрывобезопасность; Т. 21, № 3
Tekijä: Стрижак П. А. Павел Александрович
Julkaistu: (2012)

Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур «полупроводник на диэлектрике»: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Tekijä: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Julkaistu: (Томск, 2011)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
Tekijä: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Julkaistu: (2012)

Влияние температуры отжига и материала промежуточного подслоя на деградацию тонких плёнок CU на кремниевой и поликоровой подложках; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1
Tekijä: Лязгин А. О.
Julkaistu: (2009)

Численное исследование механического поведения композита "керамическое пористое покрытие - поликристаллическая стальная подложка"; Перспективные материалы с иерархической структурой для новых технологий и надежных конструкций
Julkaistu: (2015)

Разработка метода отделения тонких пленок анодного оксида алюминия от подложки; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
Tekijä: Цзи Синьюй
Julkaistu: (2023)

Синтез и исследование свойств тонких углеродных пленок, полученных методом осаждения в плазме CH[4] и последующей термообработкой: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.8
Tekijä: Прокопьев А. Р. Айсен Русланович
Julkaistu: (Томск, 2023)

Управляемая дисперсия постоянных распространения TE2-мод тонкой левоориентированной пленки на керровской подложке вблизи частот нуля групповой скорости; Письма в Журнал технической физики; Т. 47, № 9
Julkaistu: (2021)

Т. 4 : Молекулярно-лучевая эпитаксия. Поверхность; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Julkaistu: (1988)

The dynamic sublayers for improving the adhesion of CVD diamond films on copper; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 830 : Energy Fluxes and Radiation Effects 2016
Tekijä: Gaydaychuk A. V. Alexander Valerievich
Julkaistu: (2017)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3; Современные техника и технологии; Т. 2
Tekijä: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Julkaistu: (2014)

Особенности моделирования наноинедентирования системы "покрытие-подложка"; Перспективные материалы с иерархической структурой для новых технологий и надежных конструкций
Tekijä: Еремина Г. М.
Julkaistu: (2015)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Tekijä: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Julkaistu: (Томск, [Б. и.], 2005)

Investigation of the HA film deposited on the porous Ti6Al4V alloy prepared via additive manufacturing; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 98 : Interdisciplinary Problems of Nanotechnology, Biomedicine and Nanotoxicology (Nanobiotech 2015)
Julkaistu: (2015)