Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
| প্রধান লেখক: | |
|---|---|
| সংস্থা লেখক: | |
| অন্যান্য লেখক: | |
| সংক্ষিপ্ত: | Защита сост. 06.07.2021 г. |
| প্রকাশিত: |
Новосибирск, [Б. и.], 2021
|
| বিষয়গুলি: | |
| বিন্যাস: | গ্রন্থ |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=346608 |
অনুরূপ উপাদানগুলি
Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.15
অনুযায়ী: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
প্রকাশিত: (Нальчик, 2013)
অনুযায়ী: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
প্রকাশিত: (Нальчик, 2013)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2018)
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2018)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2017)
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2017)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, 2017)
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, 2017)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, 2018)
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, 2018)
Эпитаксиальные пленки
অনুযায়ী: Палатник Л. С. Лев Самойлович
প্রকাশিত: (Москва, Наука, 1971)
অনুযায়ী: Палатник Л. С. Лев Самойлович
প্রকাশিত: (Москва, Наука, 1971)
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
অনুযায়ী: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
প্রকাশিত: (Новосибирск, 2025)
অনুযায়ী: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
প্রকাশিত: (Новосибирск, 2025)
Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3
অনুযায়ী: Сычева А. В.
প্রকাশিত: (2014)
অনুযায়ী: Сычева А. В.
প্রকাশিত: (2014)
Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
প্রকাশিত: (2015)
প্রকাশিত: (2015)
Destruction of LED heterostructures under high-current electron beam irradiation
অনুযায়ী: Zixuan Li
প্রকাশিত: (2019)
অনুযায়ী: Zixuan Li
প্রকাশিত: (2019)
Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI
অনুযায়ী: Калинкин И. П. Игорь Петрович
প্রকাশিত: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978)
অনুযায়ী: Калинкин И. П. Игорь Петрович
প্রকাশিত: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978)
Разрушение светодиодных гетероструктур при облучении сильноточным электронным пучком
অনুযায়ী: Ли Цзысюань
প্রকাশিত: (2018)
অনুযায়ী: Ли Цзысюань
প্রকাশিত: (2018)
Искусственная эпитаксия - перспективная технология элементной базы микроэлектроники
অনুযায়ী: Гиваргизов Е. И. Евгений Инвиевич
প্রকাশিত: (Москва, Наука, 1988)
অনুযায়ী: Гиваргизов Е. И. Евгений Инвиевич
প্রকাশিত: (Москва, Наука, 1988)
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок монография
অনুযায়ী: Александров Л. Н. Леонид Наумович
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, 1978)
অনুযায়ী: Александров Л. Н. Леонид Наумович
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, 1978)
Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
অনুযায়ী: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
প্রকাশিত: (Москва, Энергия, 1974)
অনুযায়ী: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
প্রকাশিত: (Москва, Энергия, 1974)
Экспериментальные свидетельства магнитно-двухфазного состояния в тонких эпитаксиальных пленках [Re0.6Ba0.4MnO3] (Re=La, Pr, Nd, Gd)
প্রকাশিত: (2004)
প্রকাশিত: (2004)
Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
অনুযায়ী: Александрова О. А.
প্রকাশিত: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
অনুযায়ী: Александрова О. А.
প্রকাশিত: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
Самоформирование ситемы высокоупорядоченных наноостровков германия при эпитаксии на профилированные кремниевые (111) подложки в условиях электропереноса
অনুযায়ী: Закурдаев И. В.
প্রকাশিত: (2002)
অনুযায়ী: Закурдаев И. В.
প্রকাশিত: (2002)
Эпитаксиальные пленки на основе гадолиний-галлиевого граната как перспективный магнитооптический и оптически-активный материал
অনুযায়ী: Рандошкин В. В.
প্রকাশিত: (2004)
অনুযায়ী: Рандошкин В. В.
প্রকাশিত: (2004)
Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе
অনুযায়ী: Папков В. С. Владимир Сергеевич
প্রকাশিত: (Москва, Энергия, 1979)
অনুযায়ী: Папков В. С. Владимир Сергеевич
প্রকাশিত: (Москва, Энергия, 1979)
Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике" диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
প্রকাশিত: (Новосибирск, 2011)
অনুযায়ী: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
প্রকাশিত: (Новосибирск, 2011)
Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике" автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
প্রকাশিত: (Томск, 2011)
অনুযায়ী: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
প্রকাশিত: (Томск, 2011)
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10
অনুযায়ী: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2005)
অনুযায়ী: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2005)
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10
অনুযায়ী: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2005)
অনুযায়ী: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2005)
Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур «полупроводник на диэлектрике» автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
প্রকাশিত: (Томск, 2011)
অনুযায়ী: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
প্রকাশিত: (Томск, 2011)
Численный анализ возможности возгорания пленки жидкого топлива на нагретой до высоких температур подложке
অনুযায়ী: Стрижак П. А. Павел Александрович
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Стрижак П. А. Павел Александрович
প্রকাশিত: (2012)
Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
Влияние температуры отжига и материала промежуточного подслоя на деградацию тонких плёнок CU на кремниевой и поликоровой подложках
অনুযায়ী: Лязгин А. О.
প্রকাশিত: (2009)
অনুযায়ী: Лязгин А. О.
প্রকাশিত: (2009)
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
অনুযায়ী: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2005)
অনুযায়ী: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2005)
Численное исследование механического поведения композита "керамическое пористое покрытие - поликристаллическая стальная подложка"
প্রকাশিত: (2015)
প্রকাশিত: (2015)
Разработка метода отделения тонких пленок анодного оксида алюминия от подложки
অনুযায়ী: Цзи Синьюй
প্রকাশিত: (2023)
অনুযায়ী: Цзи Синьюй
প্রকাশিত: (2023)
Синтез и исследование свойств тонких углеродных пленок, полученных методом осаждения в плазме CH[4] и последующей термообработкой автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.8
অনুযায়ী: Прокопьев А. Р. Айсен Русланович
প্রকাশিত: (Томск, 2023)
অনুযায়ী: Прокопьев А. Р. Айсен Русланович
প্রকাশিত: (Томск, 2023)
Управляемая дисперсия постоянных распространения TE2-мод тонкой левоориентированной пленки на керровской подложке вблизи частот нуля групповой скорости
প্রকাশিত: (2021)
প্রকাশিত: (2021)
Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3
অনুযায়ী: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (2014)
অনুযায়ী: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (2014)
The dynamic sublayers for improving the adhesion of CVD diamond films on copper
অনুযায়ী: Gaydaychuk A. V. Alexander Valerievich
প্রকাশিত: (2017)
অনুযায়ী: Gaydaychuk A. V. Alexander Valerievich
প্রকাশিত: (2017)
Особенности моделирования наноинедентирования системы "покрытие-подложка"
অনুযায়ী: Еремина Г. М.
প্রকাশিত: (2015)
অনুযায়ী: Еремина Г. М.
প্রকাশিত: (2015)
Investigation of the HA film deposited on the porous Ti6Al4V alloy prepared via additive manufacturing
প্রকাশিত: (2015)
প্রকাশিত: (2015)
Особенности определения электрофизических параметров варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой терапии
প্রকাশিত: (2004)
প্রকাশিত: (2004)
Исследование полупроводниковых пленок Cu2S методами атомно-силовой микроскопии
অনুযায়ী: Дронова М. В.
প্রকাশিত: (2014)
অনুযায়ী: Дронова М. В.
প্রকাশিত: (2014)
Aluminum surface layer strengthening using intense pulsedbeam radiation of substrate film system
প্রকাশিত: (2016)
প্রকাশিত: (2016)