|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
343668 |
| 005 |
20231102005601.0 |
| 010 |
|
|
|a 9785996306336
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\374093
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\book\231828
|
| 090 |
|
|
|a 343668
|
| 100 |
|
|
|a 20191014d2018 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
|f К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c БИНОМ. Лаборатория знаний
|d 2018
|
| 215 |
|
|
|a 304 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 289-297
|
| 320 |
|
|
|a Список сокращений: с. 298-300
|
| 330 |
|
|
|a В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
|
| 606 |
1 |
|
|a Интегральные схемы
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\12775
|9 39495
|
| 610 |
1 |
|
|a ионизирующие излучения
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводники
|
| 610 |
1 |
|
|a взаимодействие
|
| 610 |
1 |
|
|a физика
|
| 610 |
1 |
|
|a окружающее пространство
|
| 610 |
1 |
|
|a радиационные характеристики
|
| 610 |
1 |
|
|a электронная техника
|
| 610 |
1 |
|
|a материалы
|
| 610 |
1 |
|
|a биполярные приборные структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a электрофизические параметры
|
| 610 |
1 |
|
|a радиационное облучение
|
| 610 |
1 |
|
|a структурные дефекты
|
| 610 |
1 |
|
|a диодные структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a транзисторные структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые приборы
|
| 610 |
1 |
|
|a электрические параметры
|
| 610 |
1 |
|
|a радиационные изменения
|
| 610 |
1 |
|
|a кремниевые структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a дозовые ионизационные эффекты
|
| 610 |
1 |
|
|a МОП-структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a космическая радиация
|
| 610 |
1 |
|
|a влияние
|
| 610 |
1 |
|
|a радиационные испытания
|
| 610 |
1 |
|
|a деградация
|
| 610 |
1 |
|
|a космическое пространство
|
| 610 |
1 |
|
|a заряженные частицы
|
| 610 |
1 |
|
|a воздействие
|
| 675 |
|
|
|a 621.382.049.77
|v 4
|
| 700 |
|
1 |
|a Таперо
|b К. И.
|g Константин Иванович
|
| 701 |
|
1 |
|a Улимов
|b В. Н.
|g Виктор Николаевич
|
| 701 |
|
1 |
|a Членов
|b А. М.
|g Александр Михайлович
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20120323
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20210406
|g RCR
|
| 900 |
|
|
|a Радиационные эффекты в твердых телах
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
| 959 |
|
|
|a 16/20191014
|d 1
|e 341,55
|f ЧЗТЛ:1
|
