Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

Dades bibliogràfiques
Autor principal: Таперо К. И. Константин Иванович
Altres autors: Улимов В. Н. Виктор Николаевич, Членов А. М. Александр Михайлович
Sumari:В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
Idioma:rus
Publicat: Москва, БИНОМ. Лаборатория знаний, 2018
Matèries:
Интегральные схемы
ионизирующие излучения
полупроводники
взаимодействие
физика
окружающее пространство
радиационные характеристики
электронная техника
материалы
биполярные приборные структуры
электрофизические параметры
радиационное облучение
структурные дефекты
диодные структуры
транзисторные структуры
полупроводниковые приборы
электрические параметры
радиационные изменения
кремниевые структуры
дозовые ионизационные эффекты
МОП-структуры
космическая радиация
влияние
радиационные испытания
деградация
космическое пространство
заряженные частицы
воздействие
Format: Llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=343668
Descripció
Descripció física:304 с. ил.
Sumari:В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
ISBN:9785996306336

Ítems similars