|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
342939 |
| 005 |
20231102005514.0 |
| 010 |
|
|
|a 9785907036307
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\372450
|
| 090 |
|
|
|a 342939
|
| 100 |
|
|
|a 20190517d2018 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Физика полупроводниковых преобразователей
|e [монография]
|f Российская академия наук (РАН), Институт нанотехнологий микроэлектроники (ИНМЭ) ; под ред. А. Н. Саурова, С. В. Булярского
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Изд-во РАН
|d 2018
|
| 215 |
|
|
|a 276 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиография в конце глав
|
| 330 |
|
|
|a В коллективной монографии излагаются физические процессы и механизмы, приводящие к снижению эффективности преобразования неэлектрических величин в электрический ток. Изучается природа возрастания обратных токов р-п-переходов и диодов Шоттки, связанная с образованием рекомбинационных центров в областях пространственного заряда этих приборов. Разработана модель переноса носителей заряда, которая объединяет и обобщает известные механизмы формирования обратных токов, а именно диффузионный, прыжковый и туннельный, а также формулирует критерии преобладания конкретного механизма. В работе рассчитана вероятность электронных переходов с учетом электрон-фононного взаимодействия, которая объясняет быстрое нарастание обратных токов с ростом приложенного напряжения. В монографии развиваются методики определения параметров рекомбинационных центров и электрон-фононного взаимодействия, рассчитываются обратные токи и эффективность преобразователей. На конкретных примерах показаны причины снижения эффективности приемников рентгеновского излучения, ядерных батареек, регистраторов частиц высоких энергий.
|
| 606 |
1 |
|
|a Преобразователи полупроводниковые
|x Физика
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\51285
|9 69880
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a носители заряда
|
| 610 |
1 |
|
|a перенос
|
| 610 |
1 |
|
|a обобщенные модели
|
| 610 |
1 |
|
|a пространственный заряд
|
| 610 |
1 |
|
|a электронные состояния
|
| 610 |
1 |
|
|a рекомбинационная спектроскопия
|
| 610 |
1 |
|
|a электрон-фотонное взаимодействие
|
| 610 |
1 |
|
|a генерационно-рекомбинационные процессы
|
| 610 |
1 |
|
|a кинетические коэффициенты
|
| 610 |
1 |
|
|a обратные токи
|
| 610 |
1 |
|
|a вычисление
|
| 610 |
1 |
|
|a рентгеновское излучение
|
| 610 |
1 |
|
|a кремниевые диоды
|
| 610 |
1 |
|
|a бета-излучение
|
| 610 |
1 |
|
|a электрическая энергия
|
| 610 |
1 |
|
|a детекторы частиц
|
| 610 |
1 |
|
|a монографии
|
| 675 |
|
|
|a 621.314.632:53
|v 4
|
| 702 |
|
1 |
|a Сауров
|b А. Н.
|4 340
|
| 702 |
|
1 |
|a Булярский
|b С. В.
|4 340
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Российская академия наук (РАН)
|b Институт нанотехнологий микроэлектроники (ИНМЭ)
|c (Москва)
|c (2006- )
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\25898
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20190517
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20190604
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
