МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники

Dades bibliogràfiques
Autor principal:	Акчурин Р. Х.
Altres autors:	Мармалюк А. А.
Sumari:	В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.
Publicat:	Москва, Техносфера, 2018
Col·lecció:	Мир материалов и технологий
Matèries:	методы металлоорганические соединения гидридная эпитаксия термодинамические аспекты кинетические аспекты химические реакции механизм кинетика поверхности роста процессы оборудование моделирование эпитаксиальные слои рост МОС-гидратная эпитаксия
Format:	Llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=341842

Ítems similars

Жидкофазная эпитаксия кремния
Publicat: (Москва, Металлургия, 1989)

Эпитаксиальные пленки
per: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Publicat: (Москва, Наука, 1971)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
per: Александрова О. А.
Publicat: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций учебно-методическое пособие
per: Курочка С. П.
Publicat: (Москва, МИСИС, 2015)

Искусственная эпитаксия - перспективная технология элементной базы микроэлектроники
per: Гиваргизов Е. И. Евгений Инвиевич
Publicat: (Москва, Наука, 1988)

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
per: Акчурин Р. Х.
Publicat: (Москва, Техносфера, 2018)

Поверхность кристалла и эпитаксия
per: Абдурагимов Г. А. Гаджи Асланович
Publicat: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1987)

Методы получения эпитаксиальных гетерокомпозиций учебное пособие для вузов
per: Ратушный В. И.
Publicat: (Москва, НИЯУ МИФИ, 2012)

Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза
Publicat: (1983)

Эпитаксиальные образования в природе и их учет в землепользовании
per: Киреева А. Е.
Publicat: (2016)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
per: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Publicat: (Новосибирск, 2025)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.12.11
per: Чижевич Л. А.
Publicat: (Томск, [Б. и.], 1974)

Особенности определения электрофизических параметров варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой терапии
Publicat: (2004)

Т. 4 : Молекулярно-лучевая эпитаксия. Поверхность
Publicat: (1988)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
per: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Publicat: (Москва, Энергия, 1974)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.15
per: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Publicat: (Нальчик, 2013)

Эпитаксиальные пленки на основе гадолиний-галлиевого граната как перспективный магнитооптический и оптически-активный материал
per: Рандошкин В. В.
Publicat: (2004)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком
per: Цзысюань Ли
Publicat: (2023)

Эпитаксия в минералах, растениях и животном мире
per: Сальников В. Н. Владимир Николаевич
Publicat: (2016)

Репродукционная эпитаксия
per: Маслов В. Н. Вадим Николаевич
Publicat: (Москва, Металлургия, 1981)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
per: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Publicat: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок
Publicat: (Новосибирск, Наука, Сибирское отделение, 1981)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10
per: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2005)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10
per: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2005)

Технология полупроводниковых материалов [учебное пособие]
per: Акчурин Р. Х. Рауф Хамзинович
Publicat: (Москва, Изд-во МИХМ, 1985)

Кристаллизация и свойства кристаллов межвузовский сборник
Publicat: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
per: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2005)

Градиентная эпитаксия для получения микро и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону монография
per: Сысоев И. А.
Publicat: (Ставрополь, СКФУ, 2015)

Элементы и устройства наноэлектроники учебное пособие
per: Сергеев В. А.
Publicat: (Ульяновск, УлГТУ, 2016)

Структурные особенности полимеров сборник научных трудов
Publicat: (Киев, Наукова думка, 1978)

Процессы реального кристаллообразования
Publicat: (Москва, Наука, 1977)

Зарождение и рост кристаллов
per: Шубников А. В. Алексей Васильевич
Publicat: (Москва, Наука, 1969)

Т. 18
Publicat: (1990)

Самоформирование ситемы высокоупорядоченных наноостровков германия при эпитаксии на профилированные кремниевые (111) подложки в условиях электропереноса
per: Закурдаев И. В.
Publicat: (2002)

Пороговая нуклеация нанометровой периодической структуры адатомов с участием повехностной статической акустической волны
per: Емельянов В. И.
Publicat: (2002)

Ч. 1 : Молекулярная, лазерная эпитаксия. Распределение примесей и дефектов
Publicat: (Новосибирск, Наука, 1984)

Т. 1 : Рост кристаллов из газовой фазы. Твердофазные превращения
Publicat: (1988)

Полупроводниковые приборы и электронная аппаратура межвузовский сборник
Publicat: (Кишинев, Штиинца, 1978)

Математическое моделирование процессов выращивания кристаллических полупроводниковых материалов
per: Степанов А. Е. Аркадий Евгеньевич
Publicat: (Киев, Наукова думка, 1988)