МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники

Opis bibliograficzny
1. autor:	Акчурин Р. Х.
Kolejni autorzy:	Мармалюк А. А.
Streszczenie:	В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.
Język:	rosyjski
Wydane:	Москва, Техносфера, 2018
Seria:	Мир материалов и технологий
Hasła przedmiotowe:	Полупроводниковые соединения > Получение методы металлоорганические соединения гидридная эпитаксия термодинамические аспекты кинетические аспекты химические реакции механизм кинетика поверхности роста процессы оборудование моделирование эпитаксиальные слои рост МОС-гидратная эпитаксия
Format:	Książka
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=341842

Podobne zapisy

Жидкофазная эпитаксия кремния
Wydane: (Москва, Металлургия, 1989)

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
od: Акчурин Р. Х.
Wydane: (Москва, Техносфера, 2018)

Эпитаксиальные пленки
od: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Wydane: (Москва, Наука, 1971)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
od: Александрова О. А.
Wydane: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций учебно-методическое пособие
od: Курочка С. П.
Wydane: (Москва, МИСИС, 2015)

Искусственная эпитаксия - перспективная технология элементной базы микроэлектроники
od: Гиваргизов Е. И. Евгений Инвиевич
Wydane: (Москва, Наука, 1988)

Поверхность кристалла и эпитаксия
od: Абдурагимов Г. А. Гаджи Асланович
Wydane: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1987)

Методы получения эпитаксиальных гетерокомпозиций учебное пособие для вузов
od: Ратушный В. И.
Wydane: (Москва, НИЯУ МИФИ, 2012)

Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза; Материалы электронной техники
Wydane: (1983)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
od: Чижевич Л. А.
Wydane: (Томск, [Б. и.], 1974)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
od: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Wydane: (Новосибирск, 2025)

Эпитаксиальные образования в природе и их учет в землепользовании; Проблемы геологии и освоения недр; Т. 2
od: Киреева А. Е.
Wydane: (2016)

Особенности определения электрофизических параметров варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой терапии; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 7
Wydane: (2004)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Wydane: (2012)

Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ.
Wydane: (Москва, Мир, 1989)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
od: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Wydane: (Нальчик, 2013)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
od: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Wydane: (Москва, Энергия, 1974)

Эпитаксиальные пленки на основе гадолиний-галлиевого граната как перспективный магнитооптический и оптически-активный материал; Наукоемкие технологии; № 11
od: Рандошкин В. В.
Wydane: (2004)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
od: Цзысюань Ли
Wydane: (2023)

Репродукционная эпитаксия
od: Маслов В. Н. Вадим Николаевич
Wydane: (Москва, Металлургия, 1981)

Т. 4 : Молекулярно-лучевая эпитаксия. Поверхность; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Wydane: (1988)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
od: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Wydane: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Эпитаксия в минералах, растениях и животном мире; Восточно-Европейский Научный Журнал; № 8, ч. 3
od: Сальников В. Н. Владимир Николаевич
Wydane: (2016)

Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок
Wydane: (Новосибирск, Наука, Сибирское отделение, 1981)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
od: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Wydane: (Томск, [Б. и.], 2005)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
od: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Wydane: (Томск, [Б. и.], 2005)

Градиентная эпитаксия для получения микро и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону монография
od: Сысоев И. А.
Wydane: (Ставрополь, СКФУ, 2015)

Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник; Вып. 5
Wydane: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)

Технология полупроводниковых материалов: [учебное пособие]
od: Акчурин Р. Х. Рауф Хамзинович
Wydane: (Москва, Изд-во МИХМ, 1985)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
od: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Wydane: (Томск, [Б. и.], 2005)

Элементы и устройства наноэлектроники учебное пособие
od: Сергеев В. А.
Wydane: (Ульяновск, УлГТУ, 2016)

Структурные особенности полимеров: сборник научных трудов
Wydane: (Киев, Наукова думка, 1978)

Процессы реального кристаллообразования
Wydane: (Москва, Наука, 1977)

Зарождение и рост кристаллов
od: Шубников А. В. Алексей Васильевич
Wydane: (Москва, Наука, 1969)

Т. 18; Рост кристаллов
Wydane: (1990)

Пороговая нуклеация нанометровой периодической структуры адатомов с участием повехностной статической акустической волны; Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 75, вып. 1-2
od: Емельянов В. И.
Wydane: (2002)

Самоформирование ситемы высокоупорядоченных наноостровков германия при эпитаксии на профилированные кремниевые (111) подложки в условиях электропереноса; Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 75, вып. 1-2
od: Закурдаев И. В.
Wydane: (2002)

Полупроводниковые приборы и электронная аппаратура: межвузовский сборник
Wydane: (Кишинев, Штиинца, 1978)

Т. 1 : Рост кристаллов из газовой фазы. Твердофазные превращения; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Wydane: (1988)

Ч. 1 : Молекулярная, лазерная эпитаксия. Распределение примесей и дефектов; Рост полупроводниковых кристаллов и пленок
Wydane: (Новосибирск, Наука, 1984)