|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
341842 |
| 005 |
20231101033514.0 |
| 010 |
|
|
|a 9785948365213
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\370132
|
| 090 |
|
|
|a 341842
|
| 100 |
|
|
|a 20181026d2018 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
|f Р. Х. Акчурин, А. А. Мармалюк
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Техносфера
|d 2018
|
| 215 |
|
|
|a 488 с.
|c ил.
|
| 225 |
1 |
|
|a Мир материалов и технологий
|
| 320 |
|
|
|a Библиография в конце глав
|
| 330 |
|
|
|a В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводниковые соединения
|x Получение
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50739
|
| 610 |
1 |
|
|a методы
|
| 610 |
1 |
|
|a металлоорганические соединения
|
| 610 |
1 |
|
|a гидридная эпитаксия
|
| 610 |
1 |
|
|a термодинамические аспекты
|
| 610 |
1 |
|
|a кинетические аспекты
|
| 610 |
1 |
|
|a химические реакции
|
| 610 |
1 |
|
|a механизм
|
| 610 |
1 |
|
|a кинетика
|
| 610 |
1 |
|
|a поверхности роста
|
| 610 |
1 |
|
|a процессы
|
| 610 |
1 |
|
|a оборудование
|
| 610 |
1 |
|
|a моделирование
|
| 610 |
1 |
|
|a эпитаксиальные слои
|
| 610 |
1 |
|
|a рост
|
| 610 |
1 |
|
|a МОС-гидратная эпитаксия
|
| 675 |
|
|
|a 621.315.592.002
|v 4
|
| 700 |
|
1 |
|a Акчурин
|b Р. Х.
|
| 701 |
|
1 |
|a Мармалюк
|b А. А.
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20181026
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20190820
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
| 959 |
|
|
|a 4/20190321
|d 1
|e 1090,00
|f ЧЗТЛ:1
|
