Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07

מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי:	Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
מחבר תאגידי:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
מחברים אחרים:	Олешко В. И. Владимир Иванович (научный руководитель)
שפה:	רוסית
יצא לאור:	Томск, [Б. и.], 2017
נושאים:	Полупроводники > Оптические свойства Пленки эпитаксиальные > Получение физика гетероструктуры люминесценция квантовые ямы эпитаксильные слои разрушение электронно-пучковое разрушение лазерная генерация сапфировые подложки люминесцентная спектроскопия сильноточные электронные пучки диссертации
פורמט:	ספר
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=341032

פריטים דומים

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
מאת: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
יצא לאור: (Томск, [Б. и.], 2018)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
מאת: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
יצא לאור: (Томск, 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
מאת: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
יצא לאור: (Томск, 2018)

Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
מאת: Сычева А. В.
יצא לאור: (2014)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
מאת: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
יצא לאור: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
יצא לאור: (2015)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
מאת: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
יצא לאור: (Новосибирск, 2025)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
מאת: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
יצא לאור: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
מאת: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
יצא לאור: (Томск, 2013)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
יצא לאור: (2013)

Эпитаксиальные пленки
מאת: Палатник Л. С. Лев Самойлович
יצא לאור: (Москва, Наука, 1971)

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
מאת: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
יצא לאור: (Томск, 2012)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3; Современные техника и технологии; Т. 2
מאת: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
יצא לאור: (2014)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
מאת: Олешко В. И. Владимир Иванович
יצא לאור: (2013)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
מאת: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
יצא לאור: (2012)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
מאת: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
יצא לאור: (Нальчик, 2013)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
מאת: Олешко В. И. Владимир Иванович
יצא לאור: (2015)

Разрушение светодиодных гетероструктур при облучении сильноточным электронным пучком; Перспективные материалы конструкционного и медицинского назначения
מאת: Ли Цзысюань
יצא לאור: (2018)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
מאת: Градобоев А. В. Александр Васильевич
יצא לאור: (2011)

Destruction of LED heterostructures under high-current electron beam irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 511 : Perspective Materials of Constructional and Medical Purpose
מאת: Zixuan Li
יצא לאור: (2019)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
מאת: Олешко В. И. Владимир Иванович
יצא לאור: (2013)

Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI
מאת: Калинкин И. П. Игорь Петрович
יצא לאור: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978)

Оптическая бистабильность в системе когерентных экситонов и биэкситонов в полупроводниках
מאת: Хаджи П. И. Петр Иванович
יצא לאור: (Кишинев, Штиинца, 1988)

Оптические свойства полупроводников
מאת: Уханов Ю. И. Юлий Иванович
יצא לאור: (Москва, Наука, 1977)

Магнито- и электропоглощение света в полупроводниках: [монография]
מאת: Жилич А. Г.
יצא לאור: (Ленинград, Изд-во ЛГУ, 1984)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
יצא לאור: (2015)

Ч. I; Оптика полупроводников
יצא לאור: (1970)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
יצא לאור: (2016)

Оптика полупроводников: учебное пособие
מאת: Войцеховский А. В. Александр Васильевич
יצא לאור: (Москва, Изд-во Томского ун-та, 1987)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
מאת: Ли Цзысюань
יצא לאור: (2017)

Метод потенциала нулевого радиуса в физике низкоразмерных систем: монография
מאת: Кревчик В. Д. Владимир Дмитриевич
יצא לאור: (Пенза, Изд-во Пензенского гос. ун-та, 2007)

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 11
מאת: Грушко Н. С.
יצא לאור: (2004)

Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.8
מאת: Пономарев С. А. Сергей Артемьевич
יצא לאור: (Новосибирск, 2025)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
מאת: Васенев А. С.
יצא לאור: (2012)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
מאת: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
יצא לאור: (2012)

Магнитооптические эффекты в многоямных квантовых структурах с примесными центрами атомного типа: учебное пособие
מאת: Грунин А. Б. Александр Борисович
יצא לאור: (Пенза, Изд-во Пензенского гос. ун-та, 2008)

Ч. 3; Оптика полупроводников
יצא לאור: (1972)

Магнитооптические эффекты Фарадея и Фогта в применении к полупроводникам
מאת: Сизов Ф. Ф. Федор Федорович
יצא לאור: (Киев, Наукова думка, 1979)

Оптические свойства полупроводников: [сборник научных трудов]
יצא לאור: (Москва, Наука, 1974)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
מאת: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
יצא לאור: (2015)