Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07

Dades bibliogràfiques
Autor principal:	Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Autor corporatiu:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Altres autors:	Олешко В. И. Владимир Иванович (научный руководитель)
Sumari:	Защита сост. 16.05.2018 г.
Idioma:	rus
Publicat:	Томск, [Б. и.], 2018
Matèries:	Полупроводники > Оптические свойства Пленки эпитаксиальные > Получение физика гетероструктуры люминесценция квантовые ямы эпитаксиальные слои электронно-пучковое разрушение лазерная генерация облучение сапфировые подложки люминесцентная спектроскопия сильноточные электронные пучки авторефераты диссертаций
Format:	Llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=340971

Ítems similars

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, 2018)

Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
per: Сычева А. В.
Publicat: (2014)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
per: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Publicat: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Publicat: (2015)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
per: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Publicat: (Новосибирск, 2025)

Эпитаксиальные пленки
per: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Publicat: (Москва, Наука, 1971)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3; Современные техника и технологии; Т. 2
per: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (2014)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
per: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Publicat: (Нальчик, 2013)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2015)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (Томск, 2013)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
Publicat: (2015)

Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI
per: Калинкин И. П. Игорь Петрович
Publicat: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Publicat: (2013)

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
per: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
Publicat: (Томск, 2012)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2013)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
per: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Publicat: (2012)

Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.8
per: Пономарев С. А. Сергей Артемьевич
Publicat: (Новосибирск, 2025)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2011)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2013)

Оптическая бистабильность в системе когерентных экситонов и биэкситонов в полупроводниках
per: Хаджи П. И. Петр Иванович
Publicat: (Кишинев, Штиинца, 1988)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
per: Чижевич Л. А.
Publicat: (Томск, [Б. и.], 1974)

Оптические свойства полупроводников
per: Уханов Ю. И. Юлий Иванович
Publicat: (Москва, Наука, 1977)

Магнито- и электропоглощение света в полупроводниках: [монография]
per: Жилич А. Г.
Publicat: (Ленинград, Изд-во ЛГУ, 1984)

Ч. I; Оптика полупроводников
Publicat: (1970)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Publicat: (2016)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
per: Васенев А. С.
Publicat: (2012)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
per: Ли Цзысюань
Publicat: (2017)

Разрушение светодиодных гетероструктур при облучении сильноточным электронным пучком; Перспективные материалы конструкционного и медицинского назначения
per: Ли Цзысюань
Publicat: (2018)

Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А В: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
per: Ивонин И. В. Иван Варфоломеевич
Publicat: (Новосибирск, [Б. и.], 1998)

Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
per: Батавин В. В. Виталий Васильевич
Publicat: (Москва, Советское радио, 1976)

Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур: [монография]
per: Корольков В. И. Владимир Ильич
Publicat: (Ташкент, Фан, 1986)

Метод потенциала нулевого радиуса в физике низкоразмерных систем: монография
per: Кревчик В. Д. Владимир Дмитриевич
Publicat: (Пенза, Изд-во Пензенского гос. ун-та, 2007)

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 11
per: Грушко Н. С.
Publicat: (2004)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
per: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Publicat: (2012)

Ч. 3; Оптика полупроводников
Publicat: (1972)

Магнитооптические эффекты Фарадея и Фогта в применении к полупроводникам
per: Сизов Ф. Ф. Федор Федорович
Publicat: (Киев, Наукова думка, 1979)