Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας:	Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Άλλοι συγγραφείς:	Олешко В. И. Владимир Иванович (727)
Περίληψη:	Защита сост. 16.05.2018 г.
Έκδοση:	Томск, [Б. и.], 2018
Θέματα:	физика гетероструктуры люминесценция квантовые ямы эпитаксиальные слои электронно-пучковое разрушение лазерная генерация облучение сапфировые подложки люминесцентная спектроскопия сильноточные электронные пучки авторефераты диссертаций
Μορφή:	Βιβλίο
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=340971

Παρόμοια τεκμήρια

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
από: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Έκδοση: (Томск, [Б. и.], 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
από: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Έκδοση: (Томск, 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
από: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Έκδοση: (Томск, 2018)

Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3
από: Сычева А. В.
Έκδοση: (2014)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
από: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Έκδοση: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
Έκδοση: (2015)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
από: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Έκδοση: (Новосибирск, 2025)

Эпитаксиальные пленки
από: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Έκδοση: (Москва, Наука, 1971)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.15
από: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Έκδοση: (Нальчик, 2013)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3
από: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Έκδοση: (2014)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
από: Олешко В. И. Владимир Иванович
Έκδοση: (2015)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN
Έκδοση: (2015)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
από: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Έκδοση: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
από: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Έκδοση: (Томск, 2013)

Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI
από: Калинкин И. П. Игорь Петрович
Έκδοση: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
Έκδοση: (2013)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами
από: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Έκδοση: (2011)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
από: Олешко В. И. Владимир Иванович
Έκδοση: (2013)

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
από: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
Έκδοση: (Томск, 2012)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
από: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Έκδοση: (2012)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP
από: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Έκδοση: (2012)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком
από: Олешко В. И. Владимир Иванович
Έκδοση: (2013)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
από: Васенев А. С.
Έκδοση: (2012)

Оптическая бистабильность в системе когерентных экситонов и биэкситонов в полупроводниках
από: Хаджи П. И. Петр Иванович
Έκδοση: (Кишинев, Штиинца, 1988)

Оптические свойства полупроводников
από: Уханов Ю. И. Юлий Иванович
Έκδοση: (Москва, Наука, 1977)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.12.11
από: Чижевич Л. А.
Έκδοση: (Томск, [Б. и.], 1974)

Магнито- и электропоглощение света в полупроводниках [монография]
από: Жилич А. Г.
Έκδοση: (Ленинград, Изд-во ЛГУ, 1984)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Έκδοση: (2016)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
από: Ли Цзысюань
Έκδοση: (2017)

Ч. I
Έκδοση: (1970)

Разрушение светодиодных гетероструктур при облучении сильноточным электронным пучком
από: Ли Цзысюань
Έκδοση: (2018)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures
από: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Έκδοση: (2012)

Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
από: Батавин В. В. Виталий Васильевич
Έκδοση: (Москва, Советское радио, 1976)

Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А В автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
από: Ивонин И. В. Иван Варфоломеевич
Έκδοση: (Новосибирск, [Б. и.], 1998)

Метод потенциала нулевого радиуса в физике низкоразмерных систем монография
από: Кревчик В. Д. Владимир Дмитриевич
Έκδοση: (Пенза, Изд-во Пензенского гос. ун-та, 2007)

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой
από: Грушко Н. С.
Έκδοση: (2004)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures
από: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Έκδοση: (2015)

Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур [монография]
από: Корольков В. И. Владимир Ильич
Έκδοση: (Ташкент, Фан, 1986)

Ч. 3
Έκδοση: (1972)

Магнитооптические эффекты Фарадея и Фогта в применении к полупроводникам
από: Сизов Ф. Ф. Федор Федорович
Έκδοση: (Киев, Наукова думка, 1979)