Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Détails bibliographiques
Auteur principal:	Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Collectivité auteur:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Autres auteurs:	Олешко В. И. Владимир Иванович (727)
Résumé:	Защита сост. 16.05.2018 г.
Publié:	Томск, [Б. и.], 2018
Sujets:	физика гетероструктуры люминесценция квантовые ямы эпитаксиальные слои электронно-пучковое разрушение лазерная генерация облучение сапфировые подложки люминесцентная спектроскопия сильноточные электронные пучки авторефераты диссертаций
Format:	Livre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=340971

Documents similaires

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
par: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publié: (Томск, [Б. и.], 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
par: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publié: (Томск, 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
par: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publié: (Томск, 2018)

Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3
par: Сычева А. В.
Publié: (2014)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
par: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Publié: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
Publié: (2015)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
par: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Publié: (Новосибирск, 2025)

Эпитаксиальные пленки
par: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Publié: (Москва, Наука, 1971)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.15
par: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Publié: (Нальчик, 2013)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3
par: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Publié: (2014)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
par: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publié: (2015)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN
Publié: (2015)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
par: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publié: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
par: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publié: (Томск, 2013)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
Publié: (2013)

Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI
par: Калинкин И. П. Игорь Петрович
Publié: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами
par: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2011)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
par: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publié: (2013)

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
par: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
Publié: (Томск, 2012)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
par: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Publié: (2012)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP
par: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publié: (2012)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком
par: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publié: (2013)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
par: Васенев А. С.
Publié: (2012)

Оптическая бистабильность в системе когерентных экситонов и биэкситонов в полупроводниках
par: Хаджи П. И. Петр Иванович
Publié: (Кишинев, Штиинца, 1988)

Оптические свойства полупроводников
par: Уханов Ю. И. Юлий Иванович
Publié: (Москва, Наука, 1977)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.12.11
par: Чижевич Л. А.
Publié: (Томск, [Б. и.], 1974)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Publié: (2016)

Магнито- и электропоглощение света в полупроводниках [монография]
par: Жилич А. Г.
Publié: (Ленинград, Изд-во ЛГУ, 1984)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
par: Ли Цзысюань
Publié: (2017)

Ч. I
Publié: (1970)

Разрушение светодиодных гетероструктур при облучении сильноточным электронным пучком
par: Ли Цзысюань
Publié: (2018)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures
par: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Publié: (2012)

Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
par: Батавин В. В. Виталий Васильевич
Publié: (Москва, Советское радио, 1976)

Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А В автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Ивонин И. В. Иван Варфоломеевич
Publié: (Новосибирск, [Б. и.], 1998)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures
par: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Publié: (2015)

Метод потенциала нулевого радиуса в физике низкоразмерных систем монография
par: Кревчик В. Д. Владимир Дмитриевич
Publié: (Пенза, Изд-во Пензенского гос. ун-та, 2007)

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой
par: Грушко Н. С.
Publié: (2004)

Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур [монография]
par: Корольков В. И. Владимир Ильич
Publié: (Ташкент, Фан, 1986)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire
Publié: (2017)

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
par: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publié: (2015)