Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07

Detalhes bibliográficos
Autor principal:	Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Autor Corporativo:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Outros Autores:	Олешко В. И. Владимир Иванович (727)
Resumo:	Защита сост. 16.05.2018 г.
Idioma:	russo
Publicado em:	Томск, [Б. и.], 2018
Assuntos:	Полупроводники > Оптические свойства Пленки эпитаксиальные > Получение физика гетероструктуры люминесценция квантовые ямы эпитаксиальные слои электронно-пучковое разрушение лазерная генерация облучение сапфировые подложки люминесцентная спектроскопия сильноточные электронные пучки авторефераты диссертаций
Formato:	Livro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=340971

Descrição
Descrição Física:	22 с. ил.
Resumo:	Защита сост. 16.05.2018 г.

Registos relacionados