Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07

Podrobná bibliografie
Hlavní autor:	Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Korporativní autor:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Отделение материаловедения
Další autoři:	Олешко В. И. Владимир Иванович (научный руководитель)
Shrnutí:	Заглавие с титульного экрана Электронная версия печатной публикации
Jazyk:	ruština
Vydáno:	Томск, 2017
Témata:	Полупроводники > Оптические свойства Пленки эпитаксиальные > Получение электронный ресурс диссертации труды учёных ТПУ люминесценция гетероструктуры облучение электронные пучки сильноточные пучки наноструктурированные материалы люминесцентные свойства нанофотоника оптоэлектроника сапфировые подложки катодолюминесценция сильноточные электронные пучки
On-line přístup:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/46969
Médium:	Elektronický zdroj Kniha
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=340337

Internet

http://earchive.tpu.ru/handle/11683/46969