Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком, диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակ: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Համատեղ հեղինակ: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Отделение материаловедения
Այլ հեղինակներ: Олешко В. И. Владимир Иванович (727)
Ամփոփում:Заглавие с титульного экрана
Электронная версия печатной публикации
Լեզու:ռուսերեն
Հրապարակվել է: Томск, 2017
Խորագրեր:
Առցանց հասանելիություն:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/46969
Ձևաչափ: Էլեկտրոնային Գիրք
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=340337

MARC

LEADER 00000nlm0a2200000 4500
001 340337
005 20231219114116.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\367125 
035 |a RU\TPU\book\367124 
090 |a 340337 
100 |a 20180316d2017 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a m 000zy 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком  |e диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  |e спец. 01.04.07  |f С. Г. Сысоева  |g Национальный исследовательский Томский политехнический университет ; науч. рук. В. И. Олешко 
203 |a Текст  |c электронный 
210 |a Томск  |d 2017 
215 |a 1 файл (6 684 KB) 
300 |a Заглавие с титульного экрана 
300 |a Электронная версия печатной публикации 
452 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\book\368238  |t Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком  |o диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  |o спец. 01.04.07  |f С. Г. Сысоева  |g Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; науч. рук. В. И. Олешко  |c Томск  |n [Б. и.]  |d 2017  |p 156 л.  |a Сысоева, Светлана Геннадьевна 
606 1 |a Полупроводники  |x Оптические свойства  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50577  |9 69230 
606 1 |a Пленки эпитаксиальные  |x Получение  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\49240  |9 68041 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a диссертации 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a люминесценция 
610 1 |a гетероструктуры 
610 1 |a облучение 
610 1 |a электронные пучки 
610 1 |a сильноточные пучки 
610 1 |a наноструктурированные материалы 
610 1 |a люминесцентные свойства 
610 1 |a нанофотоника 
610 1 |a оптоэлектроника 
610 1 |a сапфировые подложки 
610 1 |a катодолюминесценция 
610 1 |a сильноточные электронные пучки 
675 |a 537.311.322:535(04)  |v 3 
675 |a 539.23(04)  |v 3 
686 |a 01.04.07  |2 oksvnk 
700 1 |a Сысоева  |b С. Г.  |g Светлана Геннадьевна 
702 1 |a Олешко  |b В. И.  |c специалист в области светотехники  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1948-  |g Владимир Иванович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\27390  |4 727  |9 12727 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Инженерная школа новых производственных технологий  |b Отделение материаловедения  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23508 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20190110  |g RCR 
856 4 |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/46969 
942 |c CF