A complex of spectrochemical, mass-spectrometric and atomic-absorption methods for the analysis of thin layers of gallium arsenide and silicon semiconductors: [offprint]

A complex of spectrochemical, mass-spectrometric and atomic-absorption methods for the analysis of thin layers of gallium arsenide and silicon semiconductors: [offprint]

Detalles Bibliográficos
Autor Principal:	Yudelevich I. G.
Outros autores:	Shelpakova I. P.
Idioma:	inglés
Publicado:	Vienna, Springer-Verlag, 1978
Series:	Mikrochimica Acta № 1, 1978
Subjects:	Спектральный анализ, атомно-абсорбционный аналитическая химия анализ методы полупроводники химическое травление травильные растворы арсенид галлия английский язык библиотека А. Г. Стромберга
Formato:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=335673

Títulos similares

Атомно-абсорбционный спектральный анализ
por: Львов Б. В. Борис Владимирович
Publicado: (Москва, Наука, 1966)

Атомно-абсорбционный анализ: пер. с болг.
por: Хавезов И. Иван
Publicado: (Ленинград, Химия, 1983)

Состояние и перспективы развития атомно-абсорбционной пламенной спектроскопии
Publicado: (Северодонецк, 1967)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
por: Long Stephen I
Publicado: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Атомно-абсорбционная спектроскопия: пер. с англ.
por: Славин У. Уолтер
Publicado: (Ленинград, Химия, 1971)

Аналитическая атомно-абсорбционная спектроскопия: пер. с англ.
por: Прайс В.
Publicado: (Москва, Мир, 1976)

Вып. 10 : Атомно-абсорбционный анализ; Методы анализа химических реактивов и препаратов
Publicado: (1965)

The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
por: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publicado: (2012)

Применение графитовой печи с кольцевой полостью для атомно-абсорбционного анализа сверхчистых материалов: отдельный оттиск
Publicado: (Минск, Наука и техника, 1974)

Атомно-абсорбционный анализ: учебное пособие
Publicado: (СПб., Лань, 2011)

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
Publicado: (2014)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1
por: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publicado: (2014)

Glass composite modified with silicon carbide and gallium arsenide, that absorbs electromagnetic radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 1019 : 14th International Forum on Strategic Technology (IFOST 2019)
por: Kazmina O. V. Olga Viktorovna
Publicado: (2021)

Атомно-абсорбционный спектрохимический анализ
por: Брицке М. Э.
Publicado: (Москва, Химия, 1982)

The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide; Journal of X-Ray Science and Technology; Vol. 25, iss. 4
por: Ayzenshtat G. I.
Publicado: (2017)

Атомно-абсорбционный спектральный анализ
por: Пупышев А. А. Александр Алексеевич
Publicado: (Москва, Техносфера, 2009)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
por: Толбанов О. П.
Publicado: (2003)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
por: Сараева В. Е.
Publicado: (1989)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
por: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publicado: (2018)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicado: (Томск, 1999)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Publicado: (2009)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Publicado: (2014)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publicado: (Томск, 1999)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Ардышев М. В.
Publicado: (2002)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
por: Потапов А. И. Александр Иванович
Publicado: (Томск, 1999)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1999)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Ардышев М. В.
Publicado: (2004)

Актуальные проблемы материаловедения: [сборник обзоров]; пер. с англ.; Вып. 2
Publicado: (Москва, Мир, 1980)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Publicado: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Publicado: (2011)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1999)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
por: Пешев В. В.
Publicado: (2002)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
por: Потапов А. И. Александр Иванович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1999)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Publicado: (Томск, 2000)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
por: Максимова Н. К.
Publicado: (Томск, 1972)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Publicado: (2007)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2012)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Publicado: (2009)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Карлова Г. Ф.
Publicado: (2011)