|
|
|
|
| LEADER |
00000nam2a2200000 4500 |
| 001 |
333205 |
| 005 |
20231102004531.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\359200
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\book\359199
|
| 090 |
|
|
|a 333205
|
| 100 |
|
|
|a 20170607d1979 k y0rusy5003 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a UA
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
0 |
|
|a Вып. 19
|
| 210 |
|
|
|d 1979
|
| 215 |
|
|
|a 167 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиография в конце статей
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\book\242620
|t Физическая электроника
|o республиканский межведомственный научно-технический сборник
|f Львовский политехнический институт
|v Вып. 19
|d 1972-1990
|
| 606 |
1 |
|
|a Электронная теория
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\20374
|9 45483
|
| 610 |
1 |
|
|a узкощелевые полупроводники
|
| 610 |
1 |
|
|a электронный газ
|
| 610 |
1 |
|
|a диамагнетизм
|
| 610 |
1 |
|
|a примесные состояния
|
| 610 |
1 |
|
|a когерентный потенциал
|
| 610 |
1 |
|
|a сегнетоэлектрические переходы
|
| 610 |
1 |
|
|a магнитная восприимчивость
|
| 610 |
1 |
|
|a адсорбированные атомы
|
| 610 |
1 |
|
|a теплоемкость
|
| 675 |
|
|
|a 537.1
|z rus
|v 4
|
| 801 |
|
0 |
|a RU
|b 63413507
|c 19950704
|g psbo
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20151030
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20180207
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
