Полупроводниковая электроника: сборник научных трудов
| Співавтор: | Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) |
|---|---|
| Інші автори: | Пасынков В. В. (редактор) |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1979
|
| Серія: | Известия Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ) Вып. 250 |
| Предмети: | |
| Формат: | Книга |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=326476 |
Схожі ресурси
Исследование и применение широкозонных полупроводников: сборник научных трудов
Опубліковано: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1981)
Опубліковано: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1981)
Исследование и применение широкозонных полупроводников и приборов
Опубліковано: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1980)
Опубліковано: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1980)
Полупроводниковая электроника: справочник
за авторством: Баранский П. И. Петр Иванович
Опубліковано: (Москва, Мир, 1978)
за авторством: Баранский П. И. Петр Иванович
Опубліковано: (Москва, Мир, 1978)
Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
за авторством: Александрова О. А.
Опубліковано: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
за авторством: Александрова О. А.
Опубліковано: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
Исследование и применение широкозонных полупроводников: сборник научных трудов
Опубліковано: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1982)
Опубліковано: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1982)
Полупроводниковая электроника: пер. с англ.
Опубліковано: (Москва, ДМК Пресс, 2015)
Опубліковано: (Москва, ДМК Пресс, 2015)
Зарубежные микросхемы, транзисторы, диоды. А.Z
Опубліковано: (СПб., Наука и техника, 2001)
Опубліковано: (СПб., Наука и техника, 2001)
Т. 1 (А...М); Зарубежные микросхемы, транзисторы, тиристоры, диоды + SMD. A...Z
Опубліковано: (2005)
Опубліковано: (2005)
Зарубежные микросхемы, транзисторы, тиристоры, диоды + SMD. 0...9: справочник
Опубліковано: (СПб., Наука и техника, 2005)
Опубліковано: (СПб., Наука и техника, 2005)
Т. 2; Зарубежные микросхемы, транзисторы, тиристоры, диоды + SMD. A...Z
Опубліковано: (2005)
Опубліковано: (2005)
Физические основы конструирования, технологии и микроэлектроники: учебное пособие
за авторством: Мевис А. Ф. Александр Федорович
Опубліковано: (Москва, Изд-во МИРЭА, 1987)
за авторством: Мевис А. Ф. Александр Федорович
Опубліковано: (Москва, Изд-во МИРЭА, 1987)
Полупроводниковая электроника, год 2001-й
за авторством: Федотов Я. А. Яков Андреевич
Опубліковано: (Москва, Советское радио, 1975)
за авторством: Федотов Я. А. Яков Андреевич
Опубліковано: (Москва, Советское радио, 1975)
Исследование полупроводников с широкой и узкой запрещенной зоной
Опубліковано: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1983)
Опубліковано: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1983)
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
за авторством: Новиков В. А. Владимир Александрович
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2007)
за авторством: Новиков В. А. Владимир Александрович
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2007)
Компоненты силовой электроники фирмы MOTOROLA
за авторством: Иванов В. С. Владислав С.
Опубліковано: (Москва, Додэка, 1998)
за авторством: Иванов В. С. Владислав С.
Опубліковано: (Москва, Додэка, 1998)
Полупроводниковая электроника. Свойства материалов: справочник
за авторством: Баранский П. И. Петр Иванович
Опубліковано: (Киев, Наукова думка, 1975)
за авторством: Баранский П. И. Петр Иванович
Опубліковано: (Киев, Наукова думка, 1975)
Сборник задач по полупроводниковой электронике: учебное пособие
за авторством: Бурбаева Н. В. Нина Владимировна
Опубліковано: (Москва, Физматлит, 2006)
за авторством: Бурбаева Н. В. Нина Владимировна
Опубліковано: (Москва, Физматлит, 2006)
Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
за авторством: Пешев В. В. Владимир Викторович
Опубліковано: (Томск, 1999)
за авторством: Пешев В. В. Владимир Викторович
Опубліковано: (Томск, 1999)
Строение и свойства структур Si-Sio2-M
за авторством: Вертопрахов В. Н. Владимир Никифорович
Опубліковано: (Новосибирск, Наука, 1981)
за авторством: Вертопрахов В. Н. Владимир Никифорович
Опубліковано: (Новосибирск, Наука, 1981)
Полупроводниковая электроника. Свойства материалов: справочник
за авторством: Баранский П. И. Петр Иванович
Опубліковано: (Москва, Мир, 1978)
за авторством: Баранский П. И. Петр Иванович
Опубліковано: (Москва, Мир, 1978)
Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
за авторством: Каплан Б. Я.
Опубліковано: (Москва, [Б. и.], 1969)
за авторством: Каплан Б. Я.
Опубліковано: (Москва, [Б. и.], 1969)
Материалы полупроводниковой электроники: тематический сборник
Опубліковано: (Ленинград, Изд-во ФТИ, 1984)
Опубліковано: (Ленинград, Изд-во ФТИ, 1984)
Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
за авторством: Пешев В. В. Владимир Викторович
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 1999)
за авторством: Пешев В. В. Владимир Викторович
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 1999)
Материалы оптоэлектронной техники: сборник научных трудов
Опубліковано: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1985)
Опубліковано: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1985)
Монооксид европия для спинтроники: монография
Опубліковано: (Санкт-Петербург, Лань, 2015)
Опубліковано: (Санкт-Петербург, Лань, 2015)
Введение в полупроводниковую электронику: пер. с англ.
за авторством: Нанавати Р. П. Раджендра
Опубліковано: (Москва, Связь, 1965)
за авторством: Нанавати Р. П. Раджендра
Опубліковано: (Москва, Связь, 1965)
Электроника на основе нитрида галлия: пер. с англ.
за авторством: Куэй Р. Рюдигер
Опубліковано: (Москва, Техносфера, 2011)
за авторством: Куэй Р. Рюдигер
Опубліковано: (Москва, Техносфера, 2011)
Физические основы полупроводниковой электроники
Опубліковано: (Киев, Наукова думка, 1985)
Опубліковано: (Киев, Наукова думка, 1985)
Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
за авторством: Ерофеев Е. В.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Ерофеев Е. В.
Опубліковано: (2017)
Основы полупроводниковой электроники
за авторством: Бурбаева Н. В. Нина Владимировна
Опубліковано: (Москва, Физматлит, 2012)
за авторством: Бурбаева Н. В. Нина Владимировна
Опубліковано: (Москва, Физматлит, 2012)
Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI: материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.
Опубліковано: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)
Опубліковано: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)
Теоретические основы полупроводниковой электроники: учебное пособие
за авторством: Ильин В. И. Владимир Иванович
Опубліковано: (Ленинград, [Б. и.], 1979)
за авторством: Ильин В. И. Владимир Иванович
Опубліковано: (Ленинград, [Б. и.], 1979)
Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике
Опубліковано: (Москва, Техносфера, 2010)
Опубліковано: (Москва, Техносфера, 2010)
Полуизолирующие соединения A III B V: пер. с англ.
Опубліковано: (Москва, Металлургия, 1984)
Опубліковано: (Москва, Металлургия, 1984)
Glass composite modified with silicon carbide and gallium arsenide, that absorbs electromagnetic radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 1019 : 14th International Forum on Strategic Technology (IFOST 2019)
за авторством: Kazmina O. V. Olga Viktorovna
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kazmina O. V. Olga Viktorovna
Опубліковано: (2021)
Т. 1; Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов. Электронная структура и свойства полупроводников
Опубліковано: (2004)
Опубліковано: (2004)
Основы полупроводниковой электроники: пер. с англ.
Опубліковано: (Москва, Советское радио, 1958)
Опубліковано: (Москва, Советское радио, 1958)
Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
за авторством: Васенев А. С.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Васенев А. С.
Опубліковано: (2012)
Основы полупроводниковой электроники: учебное пособие для вузов
за авторством: Игумнов Д. В. Дмитрий Васильевич
Опубліковано: (Москва, Горячая линия-Телеком, 2011)
за авторством: Игумнов Д. В. Дмитрий Васильевич
Опубліковано: (Москва, Горячая линия-Телеком, 2011)
Перспективные материалы радиоэлектроники: сборник научных трудов
Опубліковано: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1984)
Опубліковано: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1984)
Схожі ресурси
-
Исследование и применение широкозонных полупроводников: сборник научных трудов
Опубліковано: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1981) -
Исследование и применение широкозонных полупроводников и приборов
Опубліковано: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1980) -
Полупроводниковая электроника: справочник
за авторством: Баранский П. И. Петр Иванович
Опубліковано: (Москва, Мир, 1978) -
Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
за авторством: Александрова О. А.
Опубліковано: (Санкт-Петербург, Лань, 2023) -
Исследование и применение широкозонных полупроводников: сборник научных трудов
Опубліковано: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1982)