Полупроводниковая электроника сборник научных трудов

Полупроводниковая электроника, сборник научных трудов

Detalhes bibliográficos
Autor Corporativo:	Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ)
Outros Autores:	Пасынков В. В. (340)
Publicado em:	Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1979
Colecção:	Известия Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ) Вып. 250
Assuntos:	полупроводниковые приборы расчеты производство конструирование применение широкозонные материалы карбид кремния фосфид галлия нитрид галлия
Formato:	Livro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=326476

Registos relacionados

Исследование и применение широкозонных полупроводников сборник научных трудов
Publicado em: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1981)

Исследование и применение широкозонных полупроводников и приборов
Publicado em: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1980)

Полупроводниковая электроника справочник
Por: Баранский П. И. Петр Иванович
Publicado em: (Москва, Мир, 1978)

Полупроводниковая электроника пер. с англ.
Publicado em: (Москва, ДМК Пресс, 2015)

Зарубежные микросхемы, транзисторы, диоды. А.Z
Publicado em: (СПб., Наука и техника, 2001)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
Por: Александрова О. А.
Publicado em: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Исследование и применение широкозонных полупроводников сборник научных трудов
Publicado em: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1982)

Зарубежные микросхемы, транзисторы, тиристоры, диоды + SMD. 0...9 справочник
Publicado em: (СПб., Наука и техника, 2005)

Т. 1 (А...М)
Publicado em: (2005)

Т. 2
Publicado em: (2005)

Полупроводниковая электроника, год 2001-й
Por: Федотов Я. А. Яков Андреевич
Publicado em: (Москва, Советское радио, 1975)

Физические основы конструирования, технологии и микроэлектроники учебное пособие
Por: Мевис А. Ф. Александр Федорович
Publicado em: (Москва, Изд-во МИРЭА, 1987)

Исследование полупроводников с широкой и узкой запрещенной зоной
Publicado em: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1983)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
Por: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 2007)

Полупроводниковая электроника. Свойства материалов справочник
Por: Баранский П. И. Петр Иванович
Publicado em: (Киев, Наукова думка, 1975)

Полупроводниковая электроника. Свойства материалов справочник
Por: Баранский П. И. Петр Иванович
Publicado em: (Москва, Мир, 1978)

Сборник задач по полупроводниковой электронике учебное пособие
Por: Бурбаева Н. В. Нина Владимировна
Publicado em: (Москва, Физматлит, 2006)

Строение и свойства структур Si-Sio2-M
Por: Вертопрахов В. Н. Владимир Никифорович
Publicado em: (Новосибирск, Наука, 1981)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия отдельный оттиск
Por: Каплан Б. Я.
Publicado em: (Москва, [Б. и.], 1969)

Материалы полупроводниковой электроники тематический сборник
Publicado em: (Ленинград, Изд-во ФТИ, 1984)

Монооксид европия для спинтроники монография
Publicado em: (Санкт-Петербург, Лань, 2015)

Электроника на основе нитрида галлия пер. с англ.
Por: Куэй Р. Рюдигер
Publicado em: (Москва, Техносфера, 2011)

Введение в полупроводниковую электронику пер. с англ.
Por: Нанавати Р. П. Раджендра
Publicado em: (Москва, Связь, 1965)

Материалы оптоэлектронной техники сборник научных трудов
Publicado em: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1985)

Физические основы полупроводниковой электроники
Publicado em: (Киев, Наукова думка, 1985)

Основы полупроводниковой электроники
Por: Бурбаева Н. В. Нина Владимировна
Publicado em: (Москва, Физматлит, 2012)

Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.
Publicado em: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)

Теоретические основы полупроводниковой электроники учебное пособие
Por: Ильин В. И. Владимир Иванович
Publicado em: (Ленинград, [Б. и.], 1979)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами
Por: Ерофеев Е. В.
Publicado em: (2017)

Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике
Publicado em: (Москва, Техносфера, 2010)

Полуизолирующие соединения A III B V пер. с англ.
Publicado em: (Москва, Металлургия, 1984)

Т. 1
Publicado em: (2004)

Основы полупроводниковой электроники пер. с англ.
Publicado em: (Москва, Советское радио, 1958)

Glass composite modified with silicon carbide and gallium arsenide, that absorbs electromagnetic radiation
Por: Kazmina O. V. Olga Viktorovna
Publicado em: (2021)

Перспективные материалы радиоэлектроники сборник научных трудов
Publicado em: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1984)

Основы полупроводниковой электроники учебное пособие для вузов
Por: Игумнов Д. В. Дмитрий Васильевич
Publicado em: (Москва, Горячая линия-Телеком, 2011)

Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник
Por: Литовченко В. Г. Владимир Григорьевич
Publicado em: (Киев, Наукова думка, 1978)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
Por: Васенев А. С.
Publicado em: (2012)

Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках пер. с англ.
Por: Милнс А.
Publicado em: (Москва, Мир, 1977)

Power switching transistors based on gallium nitride epitaxial heterostructures
Por: Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich
Publicado em: (2017)