Рекомбинационные процессы в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения

Chi tiết về thư mục
Tác giả của công ty:	Академия наук СССР (АН СССР) Физический институт им. П. Н. Лебедева (ФИАН)
Tác giả khác:	Басов Н. Г.
Ngôn ngữ:	Tiếng Nga
Được phát hành:	Москва, Наука, 1981
Loạt:	Труды физического института им. П. Н. Лебедева (ФИАН) Т. 128
Những chủ đề:	Полупроводники > Рекомбинация излучательная возбуждение высокий уровень полупроводниковые кристаллы экситоны рекомбинационные процессы
Định dạng:	Sách
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=325162

MARC


LEADER	00000nam0a2200000 4500
001	325162
005	20231102003734.0
035			\|a (RuTPU)RU\TPU\book\350773
090			\|a 325162
100			\|a 20161129d1981 k y0rusy50 ca
101	0		\|a rus
102			\|a RU
105			\|a a z 001zy
200	1		\|a Рекомбинационные процессы в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения \|f Академия наук СССР (АН СССР), Физический институт им. П. Н. Лебедева (ФИАН) ; гл. ред. Н. Г. Басов
210			\|a Москва \|c Наука \|d 1981
215			\|a 144 с. \|c ил.
225	1		\|a Труды физического института им. П. Н. Лебедева (ФИАН) \|v Т. 128
320			\|a Библиография в конце статей
606	1		\|a Полупроводники \|x Рекомбинация излучательная \|2 stltpush \|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50595 \|9 69248
610	1		\|a возбуждение
610	1		\|a высокий уровень
610	1		\|a полупроводниковые кристаллы
610	1		\|a экситоны
610	1		\|a рекомбинационные процессы
675			\|a 621.311.322:535 \|v 4
702		1	\|a Басов \|b Н. Г. \|4 651
712	0	2	\|a Академия наук СССР (АН СССР) \|b Физический институт им. П. Н. Лебедева (ФИАН) \|c (Москва) \|2 stltpush \|3 (RuTPU)RU\TPU\col\13766
801		1	\|a RU \|b 63413507 \|c 20161129
801		2	\|a RU \|b 63413507 \|c 20200710 \|g RCR
942			\|c BK