Академия наук СССР (АН СССР) Физический институт им. П. Н. Лебедева (ФИАН) & Басов Н. Г. (1981). Рекомбинационные процессы в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения. Москва, Наука, 1981.
Čikaški stil citiranja (17. izdanje)Академия наук СССР (АН СССР) Физический институт им. П. Н. Лебедева (ФИАН) i Басов Н. Г. Рекомбинационные процессы в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения. Москва, Наука, 1981, 1981.
MLA način citiranja (9. izdanje)Академия наук СССР (АН СССР) Физический институт им. П. Н. Лебедева (ФИАН) i Басов Н. Г. Рекомбинационные процессы в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения. Москва, Наука, 1981, 1981.
Upozorenje: Ovi citati možda nisu uvijek 100% točni.