Gallium arsenide digital integrated circuit design

Gallium arsenide digital integrated circuit design

Détails bibliographiques
Auteur principal:	Long Stephen I
Autres auteurs:	Butner Steven E
Langue:	anglais
Publié:	New York, McGraw-Hill, 1990
Sujets:	Галлий, арсенид > Химия неорганическая химия галлия арсенид полупроводники английский язык
Format:	Livre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=32495

Documents similaires

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
par: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Publié: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Кристалло - структурные исследования и микролокальные поля напряжений в арсениде галлия; Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в связи с несовершенствами структуры монокристаллов и текстуры поликристаллических агрегатов: Межвузовская научно - техническая программа ПРИРОДОКОМПЛЕКС; Промежуточный отчет о НИР; Тема : г/б 01.02.03.2
Publié: (Томск, 1988)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
par: Сытенко Т. Н.
Publié: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Исследования по разработке методик определения микропримесей в арсениде галлия методом амальгамной полярографии с накоплением: отчет о НИР; тема: х/д 29/66
Publié: (Томск, 1967)

Исследование влияния состава среды на кинетику растворения арсенида галлия в неводных растворах брома и йода: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук; спец. 02.00.04
par: Ступина Н. М. Нини Михайловна
Publié: (Томск, [Б. и.], 1973)

A complex of spectrochemical, mass-spectrometric and atomic-absorption methods for the analysis of thin layers of gallium arsenide and silicon semiconductors: [offprint]
par: Yudelevich I. G.
Publié: (Vienna, Springer-Verlag, 1978)

The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
par: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publié: (2012)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
par: Сараева В. Е.
Publié: (1989)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Publié: (Ташкент, Фан, 1986)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1
par: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publié: (2014)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
par: Ардышев М. В.
Publié: (2002)

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
Publié: (2014)

Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07
par: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Publié: (Томск, 1985)

The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide; Journal of X-Ray Science and Technology; Vol. 25, iss. 4
par: Ayzenshtat G. I.
Publié: (2017)

Арсенид галлия. Труды Международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США: пер. с англ.
Publié: (Москва, Советское радио, 1972)

Арсенид галлия. Получение, свойства и применение
Publié: (Москва, Наука, 1973)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publié: (Томск, 1999)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
par: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2002)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publié: (Томск, 1999)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publié: (Томск, [Б. и.], 1999)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
par: Потапов А. И. Александр Иванович
Publié: (Томск, 1999)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
par: Спирина А. А. Анна Александровна
Publié: (Новосибирск, 2023)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
par: Пешев В. В.
Publié: (2002)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Publié: (Томск, 2000)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publié: (Томск, [Б. и.], 1999)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
par: Потапов А. И. Александр Иванович
Publié: (Томск, [Б. и.], 1999)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
par: Максимова Н. К.
Publié: (Томск, 1972)

Glass composite modified with silicon carbide and gallium arsenide, that absorbs electromagnetic radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 1019 : 14th International Forum on Strategic Technology (IFOST 2019)
par: Kazmina O. V. Olga Viktorovna
Publié: (2021)

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах
par: Костылев С. А. Сергей Александрович
Publié: (Киев, Наукова думка, 1990)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: Автореферат диссертации доктора физико-математических наук
par: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Publié: (Томск, [Б. и.], 2000)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
par: Толбанов О. П.
Publié: (2003)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
par: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publié: (2018)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Publié: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Publié: (2009)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
par: Ардышев М. В.
Publié: (2004)

Актуальные проблемы материаловедения: [сборник обзоров]; пер. с англ.; Вып. 2
Publié: (Москва, Мир, 1980)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
par: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Publié: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Publié: (2011)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: пер. с англ.
Publié: (Москва, Радио и связь, 1988)