|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
320324 |
| 005 |
20231102003252.0 |
| 020 |
|
|
|a RU
|b 89-69574
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\345855
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\book\136585
|
| 090 |
|
|
|a 320324
|
| 100 |
|
|
|a 20160705d1985 km y0rusy5003 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a LT
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Физика сверхбыстродействующих транзисторов
|f Ю. К. Пожела, В. Ю. Юцене
|g Академия наук Литовской ССР (АН ЛитССР), Институт физики полупроводников
|
| 210 |
|
|
|a Вильнюс
|c Мокслас
|d 1985
|
| 215 |
|
|
|a 111 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 95-104
|
| 606 |
1 |
|
|a Триоды полупроводниковые
|x Физика
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\61638
|9 78820
|
| 610 |
1 |
|
|a быстродействующие транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a миниатюризация
|
| 610 |
1 |
|
|a биполярные транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a гетероструктуры
|
| 610 |
1 |
|
|a геометрия
|
| 610 |
1 |
|
|a полевые транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a транзисторы на горячих электронах
|
| 610 |
1 |
|
|a параметры
|
| 675 |
|
|
|a 621.382.3:53
|z rus
|
| 700 |
|
1 |
|a Пожела
|b Ю. К.
|g Юрас Карлович
|
| 701 |
|
1 |
|a Юцене
|b В. Ю.
|g Вида Юозаповна
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Академия наук Литовской ССР (АН ЛитССР)
|b Институт физики полупроводников
|c (Вильнюс)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\11539
|
| 801 |
|
0 |
|a RU
|b 63413507
|c 19950417
|g psbo
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20071126
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20160706
|g PSBO
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
