|
|
|
|
| LEADER |
00000nam2a2200000 4500 |
| 001 |
318741 |
| 005 |
20231102003116.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\344242
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\book\298523
|
| 090 |
|
|
|a 318741
|
| 100 |
|
|
|a 20160504d1981 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
0 |
|
|a Т. 13
|f под ред. Н. А. Соболевой
|
| 210 |
|
|
|d 1981
|
| 215 |
|
|
|a 151 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиография в конце обзоров
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\book\164609
|t Электроника
|f Академия наук СССР (АН СССР), Всесоюзный институт научной и технической информации (ВИНИТИ)
|v Т. 13
|d 1966-1991
|s Электроника
|
| 606 |
1 |
|
|a Электроника
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\20310
|9 45419
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые приборы
|
| 610 |
1 |
|
|a интегральные схемы
|
| 610 |
1 |
|
|a производство
|
| 610 |
1 |
|
|a разработка
|
| 610 |
1 |
|
|a диоды
|
| 610 |
1 |
|
|a полевые транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a арсенид галлия
|
| 610 |
1 |
|
|a ионно-легированные слои
|
| 610 |
1 |
|
|a ионные источники
|
| 675 |
|
|
|a 621.38
|v 4
|
| 702 |
|
1 |
|a Соболева
|b Н. А.
|4 340
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20141113
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20220222
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
