Взаимодействие высокоэнергетического излучения с веществом: монография

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Купчишин А. И. Анатолий Иванович
مؤلف مشترك: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
مؤلفون آخرون: Лисицын В. М. Виктор Михайлович, Купчишин А. А.
الملخص:Заглавие с титульного экрана
В монографии описывается один из методов расчета пространственно-временных распределений вторичных ип проходящих частиц через вещество, получивший название каскадно-вероятностного (КВ). Приведены аналитические выражения каскадно-вероятностных функций, составляющие основу метода, для стабильных, нестабильных частиц и античастиц, проведен их детальный математический анализ, установлены рекуррентные соотношения и пределы применимости метода. Представлены результаты расчетов (в рамках КВ-метода) параметров образования радиационных дефектов в металлах, облученных электронами и ионами. Предназначена для подготовки магистрантов и аспирантов в области физике полупроводников и научных работников.
Режим доступа: из корпоративной сети ТПУ
اللغة:الروسية
منشور في: Томск, Изд-во ТПУ, 2014
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://www.lib.tpu.ru/fulltext2/m/2016/m066.pdf
التنسيق: الكتروني كتاب
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=317873
الوصف
الملخص:Заглавие с титульного экрана
В монографии описывается один из методов расчета пространственно-временных распределений вторичных ип проходящих частиц через вещество, получивший название каскадно-вероятностного (КВ). Приведены аналитические выражения каскадно-вероятностных функций, составляющие основу метода, для стабильных, нестабильных частиц и античастиц, проведен их детальный математический анализ, установлены рекуррентные соотношения и пределы применимости метода. Представлены результаты расчетов (в рамках КВ-метода) параметров образования радиационных дефектов в металлах, облученных электронами и ионами. Предназначена для подготовки магистрантов и аспирантов в области физике полупроводников и научных работников.
Режим доступа: из корпоративной сети ТПУ