Полупроводниковые материалы и тонкте пленки на их поверхности

Полупроводниковые материалы и тонкте пленки на их поверхности

Detalhes bibliográficos
Outros Autores:	Угай Я. А. (редактор)
Idioma:	russo
Publicado em:	Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1982
Assuntos:	Полупроводники > Структура полупроводниковые материалы тонкие пленки поверхностные явления физико-химическая геотехнология оксидные пленки кинетика кремний арсенид галлия плазмохимическая обработка халькогенидные системы
Formato:	Livro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=317200

Registos relacionados

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Publicado em: (Новосибирск, Наука, 1977)

Исследование и применение широкозонных полупроводников: сборник научных трудов
Publicado em: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1981)

Полупроводниковые пленки и слоистые структуры
Publicado em: (Киев, Наукова думка, 1977)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Publicado em: (2011)

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
Publicado em: (2014)

Собственные энергетические уровни соединений группы А [IV] В [VI]
Por: Соболев В. В.
Publicado em: (Кишинев, Штиинца, 1981)

Актуальные проблемы материаловедения: [сборник обзоров]; пер. с англ.; Вып. 2
Publicado em: (Москва, Мир, 1980)

Пленки оксидов редкоземельных элементов в МДМ- и МДП-структурах
Publicado em: (Саратов, Изд-во Саратовского ун-та, 1983)

Исследование бинарных полупроводников
Publicado em: (Кишинев, Штиинца, 1983)

Физико-химия процессов на межфазных границах: труды вузов Российской Федерации
Publicado em: (Свердловск, Изд-во УПИ, 1976)

Техника безопасности при работах с полупроводниками
Por: Юхим И. Я. Ипполит Яковлевич
Publicado em: (Москва, Машиностроение, 1968)

Т. 16; Электроника
Publicado em: (1984)

Проблемы физики поверхности полупроводников
Publicado em: (Киев, Наукова думка, 1981)

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах
Por: Костылев С. А. Сергей Александрович
Publicado em: (Киев, Наукова думка, 1990)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Publicado em: (2009)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Publicado em: (2014)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1
Por: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publicado em: (2014)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
Por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado em: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Publicado em: (2011)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Por: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publicado em: (Томск, 1999)

Исследования по полупроводникам. Новые полупроводниковые материалы: [сборник]
Publicado em: (Кишинев, Картя молдовеняскэ, 1964)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Por: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 1999)

Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI: материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.
Publicado em: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
Por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado em: (2013)

Вып. 34; Диэлектрики и полупроводники
Publicado em: (1990)

Вып. 27; Физическая электроника
Publicado em: (1985)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Publicado em: (Ташкент, Фан, 1986)

Вып. 35; Диэлектрики и полупроводники
Publicado em: (1989)

Вып. 36; Диэлектрики и полупроводники
Publicado em: (1989)

Тонкие нерганические пленки в микроэлектронике
Publicado em: (Ленинград, Наука, 1972)

Вып. 29; Диэлектрики и полупроводники
Publicado em: (1986)

Глубокие уровни в полупроводниках: сборник статей
Publicado em: (Ташкент, Изд-во ТашГУ, 1981)

Влияние высокотемпературного отжига и обработка в кислородной плазме на свойства тонких пленок оксида галлия; Электронные приборы, системы и технологии
Por: Вишникина В. В.
Publicado em: (2012)

Вып. 32; Диэлектрики и полупроводники
Publicado em: (1988)

Вып. 19; Диэлектрики и полупроводники
Publicado em: (1981)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Por: Ардышев М. В.
Publicado em: (2004)

Вып. 31; Диэлектрики и полупроводники
Publicado em: (1987)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
Por: Толбанов О. П.
Publicado em: (2003)

Тонкие ферромагнитные пленки: пер. с англ.
Por: Праттон М.
Publicado em: (Ленинград, Судостроение, 1967)

Вып. 28; Диэлектрики и полупроводники
Publicado em: (1985)