MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 314102
005 20231102002638.0
020 |a RU  |b 82-55805 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\339513 
090 |a 314102 
100 |a 20160208d1982 k y0rusy5003 ca 
101 0 |a rus 
102 |a UA 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Обработка полупроводниковых материалов  |e монография  |f В. И. Карбань [и др.]  |g Академия наук Украинской ССР (АН УССР), Институт сверхтвердых материалов (ИСМ) ; под ред. Н. В. Новикова , В. Бертольди 
210 |a Киев  |c Наукова думка  |d 1982 
215 |a 254 с.  |c ил.  |d 22 см. 
300 |a Авт. указаны на 2-й с. 
320 |a Библиогр.: с. 235-252 
606 1 |a Полупроводниковые материалы  |x Параметры  |x Измерение  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50665  |9 69316 
610 1 |a полупроводники 
610 1 |a обработка 
610 1 |a кристаллы 
610 1 |a структура 
610 1 |a свойства 
610 1 |a инструментальные материалы 
610 1 |a абразивные материалы 
610 1 |a деформация 
610 1 |a разрушение 
610 1 |a механические воздействия 
610 1 |a алмазно-абразивная обработка 
610 1 |a микрорезание 
610 1 |a резка 
610 1 |a химическая обработка 
610 1 |a шлифование 
610 1 |a полирование 
610 1 |a процесс 
610 1 |a контроль 
675 |a 621.315.592  |z rus  |v 4 
701 1 |a Карбань  |b В. И. 
701 1 |a Кой  |b П. 
701 1 |a Рогов  |b В. В. 
701 1 |a Хофман  |b Х. 
701 1 |a Борхардт  |b А. 
701 1 |a Григорьев  |b О. Н. 
701 1 |a Зайфарт  |b Х. 
702 1 |a Новиков  |b Н. В.  |4 340 
702 1 |a Бертольди  |b В.  |4 340 
712 0 2 |a Академия наук Украинской ССР (АН УССР)  |b Институт сверхтвердых материалов (ИСМ)  |c (Киев)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\2641 
801 0 |a RU  |b RuMRKP  |c 19950704  |g psbo 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20160208 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20171024  |g RCR 
942 |c BK