Глубокие уровни в полупроводниках: сборник статей

Глубокие уровни в полупроводниках: сборник статей

التفاصيل البيبلوغرافية
مؤلف مشترك:	Ташкентский государственный университет
مؤلفون آخرون:	Фистуль В. И. (редактор)
اللغة:	الروسية
منشور في:	Ташкент, Изд-во ТашГУ, 1981
سلاسل:	Сборник научных трудов [Ташкентского государственного университета № 664
الموضوعات:	Полупроводники > Структура глубокие уровни энергетические спектры примесные центры термообработка радиационное воздействие термические дефекты кремниевые приборы гетеропереходы
التنسيق:	كتاب
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=311056

مواد مشابهة

Физические основы образования глубоких уровней в кремнии
حسب: Зайнабидинов С.
منشور في: (Ташкент, Фан, 1984)

Собственные энергетические уровни соединений группы А [IV] В [VI]
حسب: Соболев В. В.
منشور في: (Кишинев, Штиинца, 1981)

Вып. 18; Диэлектрики и полупроводники
منشور في: (1980)

Исследование бинарных полупроводников
منشور في: (Кишинев, Штиинца, 1983)

Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями.
منشور في: (Москва, Металлургия, 1987)

Исследования по полупроводникам. Новые полупроводниковые материалы: [сборник]
منشور في: (Кишинев, Картя молдовеняскэ, 1964)

Техника безопасности при работах с полупроводниками
حسب: Юхим И. Я. Ипполит Яковлевич
منشور في: (Москва, Машиностроение, 1968)

Исследование и применение широкозонных полупроводников: сборник научных трудов
منشور في: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1981)

Вып. 34; Диэлектрики и полупроводники
منشور في: (1990)

Вып. 35; Диэлектрики и полупроводники
منشور في: (1989)

Вып. 36; Диэлектрики и полупроводники
منشور في: (1989)

Вып. 29; Диэлектрики и полупроводники
منشور في: (1986)

Вып. 31; Диэлектрики и полупроводники
منشور في: (1987)

Фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника: [сборник]
منشور في: (Ташкент, Фан, 1972)

Вып. 28; Диэлектрики и полупроводники
منشور في: (1985)

Сульфохромит кадмия
حسب: Никифоров К.Г.
منشور في: (Кишинев, Штиинца, 1981)

Методы исследования структуры полупроводников и металлов: учебное пособие
حسب: Бублик В. Т. Владимир Тимофеевич
منشور في: (Москва, Металлургия, 1978)

Полупроводниковые материалы и тонкте пленки на их поверхности
منشور في: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1982)

Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника (процессы образования монокристаллических слоев для микроэлектроники)
حسب: Смородина Т. А. Татьяна Александровна
منشور في: (Ленинград, Наука, 1986)

Вып. 19; Диэлектрики и полупроводники
منشور في: (1981)

Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках
حسب: Берман Л. С. Лев Соломонович
منشور في: (Ленинград, Наука, 1981)

Вып. 32; Диэлектрики и полупроводники
منشور في: (1988)

Электронный спиновый резонанс в полупроводниках: сборник статей; пер. с англ.
منشور في: (Москва, Иностранная литература, 1962)

Точечные дефекты в полупроводниках.Теория.: пер. с англ.
حسب: Ланно М. Мишель
منشور في: (Москва, Мир, 1984)

Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках: пер. с англ.
حسب: Милнс А.
منشور في: (Москва, Мир, 1977)

Ч. 2; Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем
منشور في: (1988)

Люминесценция кристаллов учебное пособие для вузов
حسب: Волошина Т. В.
منشور في: (Воронеж, ВГУ, 2012)

Электромагнитные радиоволновые приборы для контроля слоев полупроводниковых и металлических структур
حسب: Гаврилин В. В. Валерий Валентинович
منشور في: (Рига, Зинатне, 1982)

Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями: монография
حسب: Карагеоргий-Алкалаев П. М. Павел Михайлович
منشور في: (Ташкент, Фан, 1981)

Несовершенства и активные центры в полупроводниках: пер. с англ.
حسب: Родес Р. Г.
منشور في: (Москва, Металлургия, 1968)

Физические процессы в ионных кристаллах
منشور في: (Тарту, 1972)

Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах
حسب: Вавилов В. С. Виктор Сергеевич
منشور في: (Москва, Атомиздат, 1969)

Кинетика неравновесных электронных и электрон-колебательных систем: сборник статей
منشور في: (Кишинев, Штиинца, 1982)

Выщелачивание и способы его интенсификации
حسب: Медведев А. С.
منشور في: (Москва, МИСИС, 2005)

Высокопроизводительные глубокие карьеры
منشور في: (Москва, Недра, 1984)

Радиационно-стимулированный синтез светоизлучающих Si-наноструктур в стехиометрическом SiO2 под действием тяжёлых ионов высокой энергии; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
منشور في: (2011)

Гл.1, гл. 2; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
منشور في: (1967)

Гл. 5, гл. 6; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
منشور في: (1965)

Т. 1 : Основные принципы; Лазеры на гетероструктурах
منشور في: (1981)

Ч. 1; IV Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах, 27-29 мая 1986 г.
منشور في: (1986)