• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
詳細検索
  • Глубокие уровни в полупроводни...
  • この資料を引用
  • この資料をSMS送信
  • この資料をメール
  • 印刷
  • エクスポート
    • エクスポート先: RefWorks
    • エクスポート先: EndNoteWeb
    • エクスポート先: EndNote
  • パーマネントリンク
エクスポート完了 — 
Глубокие уровни в полупроводниках: сборник статей

Глубокие уровни в полупроводниках: сборник статей

書誌詳細
団体著者: Ташкентский государственный университет
その他の著者: Фистуль В. И. (редактор)
言語:ロシア語
出版事項: Ташкент, Изд-во ТашГУ, 1981
シリーズ:Сборник научных трудов [Ташкентского государственного университета № 664
主題:
Полупроводники > Структура
глубокие уровни
энергетические спектры
примесные центры
термообработка
радиационное воздействие
термические дефекты
кремниевые приборы
гетеропереходы
フォーマット: 図書
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=311056
  • 所蔵
  • その他の書誌記述
  • 類似資料
  • MARC表示

類似資料

  • Физические основы образования глубоких уровней в кремнии
    著者:: Зайнабидинов С.
    出版事項: (Ташкент, Фан, 1984)
  • Собственные энергетические уровни соединений группы А [IV] В [VI]
    著者:: Соболев В. В.
    出版事項: (Кишинев, Штиинца, 1981)
  • Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями.
    出版事項: (Москва, Металлургия, 1987)
  • Исследование бинарных полупроводников
    出版事項: (Кишинев, Штиинца, 1983)
  • Техника безопасности при работах с полупроводниками
    著者:: Юхим И. Я. Ипполит Яковлевич
    出版事項: (Москва, Машиностроение, 1968)