Контроль новых технологий в твердотельной СВЧ электронике

Bibliographic Details
Main Author: Груздов В. В. Вадим Владимирович
Other Authors: Колковский Ю. В. Юрий Владимирович, Концевой Ю. А. Юлий Абрамович
Summary:В книге представлено обобщение накопленного опыта по созданию методов входного и технологического контроля при разработке и производстве СВЧ транзисторов на основе широкозонных материалов, в частности, транзисторов на гетероструктурах типа AIGaN/GaN. Рассмотрены системы отечественных и зарубежных стандартов, на основе которых проводятся разработки СВЧ транзи­сторов. Подробно описаны физические основы гетероструктур, описаны свойства широкозонных полупроводников, методы изготовления СВЧ транзисторов. Детально анализируется техноло­гия производства транзисторов с учетом имеющегося опыта их реального изготовления. Рассмотрены электрические, оптические, рентгеновские, электронно-микроскопические и аналитические методы, которые применяются при входном и технологическом методах контроля. Рассмотрен опыт создания в ОАО «НПП «Пуль­сар» СВЧ транзисторов и СВЧ блоков на их основе.Книга будет полезна специалистам в области электроники, иссле­дователям, инженерам-практикам и разработчикам радиоэлектрон­ной аппаратуры.
Language:Russian
Published: Москва, Техносфера, 2016
Subjects:
Format: MixedMaterials Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=310923

MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 310923
005 20231102002332.0
010 |a 9785948364261 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\336276 
090 |a 310923 
100 |a 20151201d2016 km y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Контроль новых технологий в твердотельной СВЧ электронике  |f В. В. Груздов, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой 
210 |a Москва  |c Техносфера  |d 2016 
215 |a 328 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 302-327. 
330 |a В книге представлено обобщение накопленного опыта по созданию методов входного и технологического контроля при разработке и производстве СВЧ транзисторов на основе широкозонных материалов, в частности, транзисторов на гетероструктурах типа AIGaN/GaN. Рассмотрены системы отечественных и зарубежных стандартов, на основе которых проводятся разработки СВЧ транзи­сторов. Подробно описаны физические основы гетероструктур, описаны свойства широкозонных полупроводников, методы изготовления СВЧ транзисторов. Детально анализируется техноло­гия производства транзисторов с учетом имеющегося опыта их реального изготовления. Рассмотрены электрические, оптические, рентгеновские, электронно-микроскопические и аналитические методы, которые применяются при входном и технологическом методах контроля. Рассмотрен опыт создания в ОАО «НПП «Пуль­сар» СВЧ транзисторов и СВЧ блоков на их основе.Книга будет полезна специалистам в области электроники, иссле­дователям, инженерам-практикам и разработчикам радиоэлектрон­ной аппаратуры. 
606 1 |a Транзисторы сверхвысокочастотные  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\71280  |9 85249 
610 1 |a интеллектуальная собственность 
610 1 |a стандарты 
610 1 |a технологические процессы 
610 1 |a создание 
610 1 |a широкозонные материалы 
610 1 |a СВЧ-электроника 
610 1 |a СВЧ-транзисторы 
610 1 |a качество 
610 1 |a электрический контроль 
610 1 |a тепловой контроль 
610 1 |a дефекты 
610 1 |a выявление 
610 1 |a оптические методы 
610 1 |a гетероструктуры 
610 1 |a омические контакты 
610 1 |a рентгеновские методы 
610 1 |a электронная микроскопия 
610 1 |a атомно-силовая микроскопия 
610 1 |a примеси 
610 1 |a электронная спектроскопия 
610 1 |a аппаратура 
610 1 |a нитрид-галлиевые приборы 
675 |a 621.382.3.02  |v 4 
700 1 |a Груздов  |b В. В.  |g Вадим Владимирович 
701 1 |a Колковский  |b Ю. В.  |g Юрий Владимирович 
701 1 |a Концевой  |b Ю. А.  |g Юлий Абрамович 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20151201 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160204  |g RCR 
900 |a Твердотельная электроника 
942 |c BK 
959 |a 126/20151008  |d 1  |e 975,00  |f ЧЗТЛ:1