MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 310907
005 20231102002331.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\336260 
090 |a 310907 
100 |a 20151201d1980 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Вопросы радиационной технологии полупроводников  |e [монография]  |f Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт физики полупроводников (ИФП) ; под ред. Л. С. Смирнова 
210 |a Новосибирск  |c Наука  |d 1980 
215 |a 294 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр. в конце гл. 
606 1 |a Полупроводники  |x Радиационная технология  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50569  |9 69222 
610 1 |a радиационные дефекты 
610 1 |a частицы 
610 1 |a энергия 
610 1 |a облучение 
610 1 |a интенсивность 
610 1 |a технологическое использование 
610 1 |a ионное легирование 
610 1 |a лазерный отжиг 
610 1 |a тонкие пленки 
610 1 |a ядерное легирование 
610 1 |a ядерные реакции 
675 |a 621.315.592.002  |v 4 
702 1 |a Смирнов  |b Л. С.  |4 340 
712 0 2 |a Академия наук СССР (АН СССР)  |b Сибирское отделение (СО)  |b Институт физики полупроводников (ИФП)  |c (Новосибирск)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\11385 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20151201 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20201222  |g RCR 
942 |c BK