Применение контакта металл-полупроводник в электронике

Применение контакта металл-полупроводник в электронике

Podrobná bibliografie
Hlavní autor:	Валиев К. А. Камиль Ахметович
Další autoři:	Пашинцев Ю. И. Юрий Иванович, Петров Г. В. Гарри Васильевич
Jazyk:	ruština
Vydáno:	Москва, Радио и связь, 1981
Témata:	Контакты: металл-полупроводник > Электротехника носители барьеры Шоттки дискретные приборы гибридные интегральные схемы СВЧ диапазон диодные смесители полевые транзисторы затвор Шоттки усилители генераторы смесители управляющие электроды Шоттки инжекционно-пролетные диоды уравнения переноса радиационная стойкость полупроводниковые приборы изготовление
Médium:	Kniha
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=310804

Podobné jednotky

Физика и применение контакта металл-полупроводник: сборник научных трудов
Vydáno: (Краснодар, 1989)

Контакты металл-полупроводник: пер. с англ.
Autor: Родерик Э. Х. Эмвил Х.
Vydáno: (Москва, Радио и связь, 1982)

Физические основы электроники. Контакты металл–полупроводник учебно-методическое пособие
Autor: Дорогой С. В.
Vydáno: (Новосибирск, НГТУ, 2019)

Физика полупроводниковых приборов: пер. с англ.; в 2-х кн; Кн. 1
Autor: Шур М. С. Михаил Саулович
Vydáno: (Москва, Мир, 1992)

Физика полупроводниковых приборов
Autor: Лебедев А. И. Александр Иванович
Vydáno: (Москва, Физматлит, 2008)

Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. Физика, технология, применение
Autor: Стриха В. И. Виталий Илларионович
Vydáno: (Москва, Советское радио, 1974)

Приборы СВЧ и оптического диапазона учебное пособие. направление подготовки 210700.62 – инфокоммуникационные технологии и системы связи. профиль подготовки «сети связи и системы коммутации». бакалавриат
Autor: Велигоша А. В.
Vydáno: (Ставрополь, СКФУ, 2014)

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)
Autor: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Vydáno: (2015)

Main principles of developing exploitation models of semiconductor devices; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2018)

Инфракрасная камера на основе барьеров Шоттки для дневных наблюдений звёзд; Приборы и техника эксперимента; № 2
Autor: Гришин Е. А.
Vydáno: (2003)

Особенности введения радиационных дефектов в области барьера Шоттки фосфида индия; Современные проблемы науки и образования; № 3
Autor: Пешев В. В. Владимир Викторович
Vydáno: (2006)

Монолитная интегральная схема двухпозиционного СВЧ коммутатора на GaAs; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 309, № 8
Vydáno: (2006)

Micro-Bunch Instabilities as a Source of Coherent THz Radiation; RREPS-15. Radiation from Relativistic Electrons in Periodic Structures
Autor: Finn A. Aiveen
Vydáno: (2015)

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
Autor: Дорохин М. В.
Vydáno: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013)

Новые материалы электронной техники: сборник научных трудов
Vydáno: (Новосибирск, Наука, 1990)

Комплекс лабораторных работ «Физика твердотельных наноструктур»
Autor: Филато Д. О.
Vydáno: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)

Мощные кремниевые эпитаксиально-планарные диоды с барьером Шоттки; Радиомир; № 2
Autor: Киселёв В.
Vydáno: (2002)

Полупроводниковые приборы СВЧ: пер. с англ.
Vydáno: (Москва, Мир, 1972)

Расчет нелинейных искажений в пассивных аттенюаторах на полевых транзисторах; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 310, № 1
Autor: Туев В. И.
Vydáno: (2007)

Инжекционно-пролетные диоды
Autor: Арутюнян В. М. Владимир Михайлович
Vydáno: (Ереван, Изд-во Ереванского ун-та, 1986)

Ч. 2 : Состав, структура и электрофизические свойства; Материалы электронной техники
Vydáno: (1983)

Физические основы продукции высокотехнологичного производства
Autor: Вострецова Л. Н.
Vydáno: (Ульяновск, УлГУ, 2021)

Зарядно-питающий блок для портативных устройств; Схемотехника; № 11
Autor: Онышко Д.
Vydáno: (2004)

Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек; Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 75, вып. 1-2
Vydáno: (2002)

Моделирование структур аттенюаторов на полевых транзисторах с минимальным изменением фазового сдвига при регулировании ослабления; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 311, № 4 : Энергетика
Autor: Стукач О. В. Олег Владимирович
Vydáno: (2007)

Сборник задач по физике поверхности полупроводников: учебное пособие
Autor: Гуртов В. А. Валерий Алексеевич
Vydáno: (Петрозаводск, Изд-во ПГУ, 1985)

Физические основы электроники : полевые приборы : лабораторный практикум
Autor: Диденко С. И.
Vydáno: (Москва, МИСИС, 2016)

Т. 1 : Общие вопросы теории. Туннельные и транзисторные усилители и детекторы СВЧ; Полупроводниковые входные устройства СВЧ
Vydáno: (1975)

Назначение и принцип действия микросхем КМОП и ТТЛ практикум
Autor: Сдобняков В. В.
Vydáno: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2015)

Автокатализ термического разложения азида свинца дефектами Шоттки при малых степенях разложения; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Autor: Ханефт А. В. Александр Вилливич
Vydáno: (2011)

Теория и расчет полупроводниковых приборов и интегральных схем: Полевые транзисторы лабораторный практикум
Autor: Кольцов Г. И.
Vydáno: (Москва, МИСИС, 2001)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (Томск, 2003)

Т. 4; Зарубежные диоды и их аналоги
Vydáno: (2000)

Барьеры в полупроводниковых структурах практикум
Autor: Демидов Е. С.
Vydáno: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2016)

Ионная проводимость кристаллов: пер. с англ.
Autor: Лидьярд А.
Vydáno: (Москва, Изд-во иностранной литературы, 1962)

Актуальные проблемы электронного приборостроения и машиностроения: Сборник научных статей
Vydáno: (Саратов, Изд-во Саратовского ГТУ, 2002)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2003)

Моделирование компонентов и элементов интегральных схем
Autor: Петров М. Н.
Vydáno: (Санкт-Петербург, Лань, 2021)

Справочник по зарубежным диодам; Ч. 1
Vydáno: (Москва, Солон-Р, 2000)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Autor: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Vydáno: (Томск, 2000)