Исследование и применение широкозонных полупроводников: сборник научных трудов
| সংস্থা লেখক: | |
|---|---|
| অন্যান্য লেখক: | |
| ভাষা: | রুশ |
| প্রকাশিত: |
Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1981
|
| মালা: | Известия Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ) Вып. 281 |
| বিষয়গুলি: | |
| বিন্যাস: | গ্রন্থ |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=308903 |
অনুরূপ উপাদানগুলি
Исследование и применение широкозонных полупроводников и приборов
প্রকাশিত: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1980)
প্রকাশিত: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1980)
Полупроводниковая электроника: сборник научных трудов
প্রকাশিত: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1979)
প্রকাশিত: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1979)
Модуляционная спектроскопия широкозонных полупроводников
প্রকাশিত: (Москва, Наука, 1985)
প্রকাশিত: (Москва, Наука, 1985)
Исследование и применение широкозонных полупроводников: сборник научных трудов
প্রকাশিত: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1982)
প্রকাশিত: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1982)
Исследование полупроводников с широкой и узкой запрещенной зоной
প্রকাশিত: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1983)
প্রকাশিত: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1983)
Фоторезистивные свойства аморфных и поликристаллических пленок широкозонных полупроводников
অনুযায়ী: Ибрагимов В. Ю. Валентин Юсуфович
প্রকাশিত: (Ташкент, Фан, 1991)
অনুযায়ী: Ибрагимов В. Ю. Валентин Юсуфович
প্রকাশিত: (Ташкент, Фан, 1991)
Исследование бинарных полупроводников
প্রকাশিত: (Кишинев, Штиинца, 1983)
প্রকাশিত: (Кишинев, Штиинца, 1983)
Разработка полупроводниковых детекторов на широкозонных материалах; Атомная энергия; Т. 97, вып. 5
অনুযায়ী: Залетин В. М.
প্রকাশিত: (2004)
অনুযায়ী: Залетин В. М.
প্রকাশিত: (2004)
Полупроводниковые материалы и тонкте пленки на их поверхности
প্রকাশিত: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1982)
প্রকাশিত: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1982)
Техника безопасности при работах с полупроводниками
অনুযায়ী: Юхим И. Я. Ипполит Яковлевич
প্রকাশিত: (Москва, Машиностроение, 1968)
অনুযায়ী: Юхим И. Я. Ипполит Яковлевич
প্রকাশিত: (Москва, Машиностроение, 1968)
Основы силовой электроники: научное издание
প্রকাশিত: (Москва, Техносфера, 2019)
প্রকাশিত: (Москва, Техносфера, 2019)
Механизм разрушения широкозонных материалов под действием интенсивных электронных пучков; Тезисы докладов 6 Всесоюзной конференции по радиационной физике и химии ионных кристаллов (Рига, 9-11 октября, 1986); Ч. 1
অনুযায়ী: Олешко В. И.
প্রকাশিত: (1986)
অনুযায়ী: Олешко В. И.
প্রকাশিত: (1986)
Широкодиапазонные генераторы на негатронах
অনুযায়ী: Биберман Л. И. Леонид Исерович
প্রকাশিত: (Москва, Радио и связь, 1982)
অনুযায়ী: Биберман Л. И. Леонид Исерович
প্রকাশিত: (Москва, Радио и связь, 1982)
Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
অনুযায়ী: Александрова О. А.
প্রকাশিত: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
অনুযায়ী: Александрова О. А.
প্রকাশিত: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
Вып. 32; Диэлектрики и полупроводники
প্রকাশিত: (1988)
প্রকাশিত: (1988)
Оптимизация предельных режимов стримерного полупроводникового лазера; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 310, № 1
অনুযায়ী: Паращук В. В.
প্রকাশিত: (2007)
অনুযায়ী: Паращук В. В.
প্রকাশিত: (2007)
Глубокие уровни в полупроводниках: сборник статей
প্রকাশিত: (Ташкент, Изд-во ТашГУ, 1981)
প্রকাশিত: (Ташкент, Изд-во ТашГУ, 1981)
Методы исследования структуры полупроводников и металлов: учебное пособие
অনুযায়ী: Бублик В. Т. Владимир Тимофеевич
প্রকাশিত: (Москва, Металлургия, 1978)
অনুযায়ী: Бублик В. Т. Владимир Тимофеевич
প্রকাশিত: (Москва, Металлургия, 1978)
Сульфохромит кадмия
অনুযায়ী: Никифоров К.Г.
প্রকাশিত: (Кишинев, Штиинца, 1981)
অনুযায়ী: Никифоров К.Г.
প্রকাশিত: (Кишинев, Штиинца, 1981)
Вып. 34; Диэлектрики и полупроводники
প্রকাশিত: (1990)
প্রকাশিত: (1990)
Вып. 35; Диэлектрики и полупроводники
প্রকাশিত: (1989)
প্রকাশিত: (1989)
Вып. 36; Диэлектрики и полупроводники
প্রকাশিত: (1989)
প্রকাশিত: (1989)
Т. 1; Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов. Электронная структура и свойства полупроводников
প্রকাশিত: (2004)
প্রকাশিত: (2004)
Вып. 29; Диэлектрики и полупроводники
প্রকাশিত: (1986)
প্রকাশিত: (1986)
Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
অনুযায়ী: Толбанов О. П. Олег Петрович
প্রকাশিত: (Томск, 1999)
অনুযায়ী: Толбанов О. П. Олег Петрович
প্রকাশিত: (Томск, 1999)
Исследования по полупроводникам. Новые полупроводниковые материалы: [сборник]
প্রকাশিত: (Кишинев, Картя молдовеняскэ, 1964)
প্রকাশিত: (Кишинев, Картя молдовеняскэ, 1964)
Вып. 31; Диэлектрики и полупроводники
প্রকাশিত: (1987)
প্রকাশিত: (1987)
Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
অনুযায়ী: Толбанов О. П. Олег Петрович
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 1999)
অনুযায়ী: Толбанов О. П. Олег Петрович
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 1999)
Собственные энергетические уровни соединений группы А [IV] В [VI]
অনুযায়ী: Соболев В. В.
প্রকাশিত: (Кишинев, Штиинца, 1981)
অনুযায়ী: Соболев В. В.
প্রকাশিত: (Кишинев, Штиинца, 1981)
Вып. 28; Диэлектрики и полупроводники
প্রকাশিত: (1985)
প্রকাশিত: (1985)
СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках: учебное пособие
অনুযায়ী: Васильев А. Г. Андрей Георгиевич
প্রকাশিত: (Москва, Техносфера, 2011)
অনুযায়ী: Васильев А. Г. Андрей Георгиевич
প্রকাশিত: (Москва, Техносфера, 2011)
Электроника на основе нитрида галлия: пер. с англ.
অনুযায়ী: Куэй Р. Рюдигер
প্রকাশিত: (Москва, Техносфера, 2011)
অনুযায়ী: Куэй Р. Рюдигер
প্রকাশিত: (Москва, Техносфера, 2011)
Вып. 19; Диэлектрики и полупроводники
প্রকাশিত: (1981)
প্রকাশিত: (1981)
Плазмодинамический синтез нанодисперсного материала в системе Al-Mg-O; Функциональные материалы: разработка, исследование, применение
অনুযায়ী: Циммерман А. И. Александр Игоревич
প্রকাশিত: (2017)
অনুযায়ী: Циммерман А. И. Александр Игоревич
প্রকাশিত: (2017)
Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
অনুযায়ী: Александров И. А. Иван Анатольевич
প্রকাশিত: (Новосибирск, 2015)
অনুযায়ী: Александров И. А. Иван Анатольевич
প্রকাশিত: (Новосибирск, 2015)
Введение в микроэлектронику: пер. с яп.
অনুযায়ী: Сугано Т. Такуо
প্রকাশিত: (Москва, Мир, 1988)
অনুযায়ী: Сугано Т. Такуо
প্রকাশিত: (Москва, Мир, 1988)
Электронные полупроводниковые приборы
অনুযায়ী: Маслов А. А. Алексей Андреевич
প্রকাশিত: (Москва, Энергия, 1967)
অনুযায়ী: Маслов А. А. Алексей Андреевич
প্রকাশিত: (Москва, Энергия, 1967)
Транзисторная электроника в приборостоении: сборник трудов конференции, Москва, 1956 г.
প্রকাশিত: (Москва, Оборонгиз, 1959)
প্রকাশিত: (Москва, Оборонгиз, 1959)
Электромагнитные радиоволновые приборы для контроля слоев полупроводниковых и металлических структур
অনুযায়ী: Гаврилин В. В. Валерий Валентинович
প্রকাশিত: (Рига, Зинатне, 1982)
অনুযায়ী: Гаврилин В. В. Валерий Валентинович
প্রকাশিত: (Рига, Зинатне, 1982)
Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
প্রকাশিত: (Ташкент, Фан, 1986)
প্রকাশিত: (Ташкент, Фан, 1986)