MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 306479
005 20231102001910.0
020 |a RU  |b 83-52477 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\331756 
090 |a 306479 
100 |a 20151007d1983 km y0rusy5003 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a y z 101zy 
200 1 |a II Всесоюзная конференция по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов, Звенигород, нояб. 1983 г.  |e тезисы докладов  |f Академия наук СССР (АН СССР), Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова (ИОНХ) ; под ред. А. В. Новоселовой 
210 |a Москва  |c Наука  |d 1983 
215 |a 305 с. 
320 |a Библиогр. в конце ст. 
606 1 |a Сегнетоэлектрические материалы  |x Получение  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\54333  |9 72490 
610 1 |a физико-химические основы 
610 1 |a конференции 
610 1 |a Звенигород 
610 1 |a сегнетоэлектрики 
610 1 |a сегнетоэлектрики-полупроводники 
610 1 |a сегнетоэлектрические свойства 
610 1 |a сегнетоэлектрическая керамика 
610 1 |a пьезоэлектрические материалы 
610 1 |a пленки 
610 1 |a монокристаллы 
610 1 |a состав 
610 1 |a строение 
610 1 |a свойства 
675 |a 621.3.002.3:53(063)  |z rus  |v 3 
702 1 |a Новоселова  |b А. В.  |4 340 
712 0 2 |a Академия наук СССР (АН СССР)  |b Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова (ИОНХ)  |c (Москва)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\11794 
712 1 2 |a Всесоюзная конференция по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов  |d 2  |e Звенигород  |f 1983  |4 570 
801 0 |a RU  |b RuMRKP  |c 19950704  |g psbo 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20151007 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20190604  |g RCR 
942 |c BK