|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
306181 |
| 005 |
20231102001853.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\331458
|
| 090 |
|
|
|a 306181
|
| 100 |
|
|
|a 20151005d1978 km y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a BY
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах
|f Ф. П. Коршунов, Г. В. Гатальский, Г. М. Иванов
|g Академия наук Белорусской ССР (АН БССР), Институт физики твердого тела и полупроводников
|
| 210 |
|
|
|a Минск
|c Наука и техника
|d 1978
|
| 215 |
|
|
|a 232 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 214-227
|
| 320 |
|
|
|a Предм. указ.: с. 228-229
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводниковые приборы
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50669
|9 69320
|
| 610 |
1 |
|
|a радиационные дефекты
|
| 610 |
1 |
|
|a кристаллы
|
| 610 |
1 |
|
|a дефектообразование
|
| 610 |
1 |
|
|a p-n-переходы
|
| 610 |
1 |
|
|a диоды
|
| 610 |
1 |
|
|a облучение
|
| 610 |
1 |
|
|a лазерные диоды
|
| 610 |
1 |
|
|a тиристоры
|
| 610 |
1 |
|
|a биполярные тиристоры
|
| 610 |
1 |
|
|a радиация
|
| 610 |
1 |
|
|a влияние
|
| 610 |
1 |
|
|a МДП-транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a интегральные микросхемы
|
| 610 |
1 |
|
|a излучения
|
| 610 |
1 |
|
|a использование
|
| 675 |
|
|
|a 621.382
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Коршунов
|b Ф. П.
|g Федор Павлович
|
| 701 |
|
1 |
|a Гатальский
|b Г. В.
|g Геннадий Васильевич
|
| 701 |
|
1 |
|a Иванов
|b Г. М.
|g Геннадий Михайлович
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Академия наук Белорусской ССР (АН БССР)
|b Институт физики твердого тела и полупроводников
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\11357
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20151005
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20211028
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
