MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 306153
005 20231102001852.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\331430 
090 |a 306153 
100 |a 20151003d1978 km y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a UA 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник  |f В. Г. Литовченко, А. П. Горбань  |g Академия наук Украинской ССР (АН УССР), Институт полупроводников (ИП) 
210 |a Киев  |c Наукова думка  |d 1978 
215 |a 315 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 286-313. 
606 1 |a Полупроводниковые соединения  |x Физика  |x Оптические свойства  |x Электрические свойства  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50740  |9 69390 
606 1 |a Электроника полупроводниковая  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\20334  |9 45443 
610 1 |a полупроводниковые подложки 
610 1 |a диэлектрические пленки 
610 1 |a нанесение 
610 1 |a МДП-структуры 
610 1 |a параметры 
610 1 |a измерение 
610 1 |a поверхностные слои 
610 1 |a структура 
610 1 |a кристаллическая структура 
610 1 |a двухслойные системы 
610 1 |a переноса явления 
610 1 |a фотоемкостный эффект 
610 1 |a электрофизические характеристики 
610 1 |a зарядовая связь 
610 1 |a интегральные схемы 
675 |a 621.382  |v 3 
675 |a 621.315.592:53  |v 3 
700 1 |a Литовченко  |b В. Г.  |g Владимир Григорьевич 
701 1 |a Горбань  |b А. П.  |g Анатолий Петрович 
712 0 2 |a Академия наук Украинской ССР (АН УССР)  |b Институт полупроводников (ИП)  |c (Киев)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\12057 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20151003 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20211028  |g RCR 
942 |c BK